1) FHD
氢氧焰淀积
1.
The thickness of SiO 2 film on silicon substrate obtained by Flame Hydrolysis Deposition (FHD) is over 20μm.
在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 。
2) oxyhydrogen flame
氢氧焰
1.
Design and finite element analysis of a new flash-back arrestor faced on oxyhydrogen flame;
一种新型氢氧焰回火防止器设计及有限元分析
3) oxyhydrogen welding
氢氧焰焊接
4) oxyhydrogen cutting
氢氧焰切割
5) hydrogen oxygen flame welding and cutting machine
氢氧焰焊、割机
6) hydrogen/air premixed flame
氢/氧预混火焰
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条