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1)  thin film SOI
薄膜SOI
1.
Principle and method for designing high voltage thin film SOI devices with linearly doped drift region are given.
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 。
2)  TFDSOI
薄膜全耗尽SOI
3)  thin film/thick BOX SOI
薄膜厚埋层SOI材料
1.
A thin film/thick BOX SOI with SOI layer thickness of 130nm,BOX thickness of 1μm,and SOI layer thickness uniformity of ±2% was fabricated with SWB technology.
采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度1μm,顶层硅厚度均匀性±2%。
4)  Ultra-thin-SOI
超薄SOI
5)  thick SOI material
厚膜SOI材料
1.
The thick SOI materials were characterized by Secco etching,SE and SRP.
利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。
6)  Silicon on insulator
SOI
1.
An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.
采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。
2.
A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed.
根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。
3.
Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect.
绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。
补充资料:BOPP薄膜用抗静电剂选择方法
据专家介绍,抗静电剂是BOPP薄膜助剂中需求量最大的品种,大多数用途的BOPP薄膜生产过程都需要加入抗静电母料。抗静电剂种类很多,按化学结构来区分,有阳离子型抗静电剂、阴离子型抗静电剂、非离子型抗静电剂和高分子导电型抗静电剂4种。
 

 

    在BOPP薄膜的加工或使用过程中,由于薄膜间的摩擦而产生静电作用,会吸附空气的灰尖或其他污染物,这不仅影响到薄膜表面的美观,而且在使用过程中也会发生相互粘结,影响正常生产。另外,静电的存在会对人体造成极大的伤害。为此,在BOPP薄膜的加工过程中要加入对抗静电或抗静电母料可降低并消除静电。
                
                   
    在国外,BOPP薄膜抗静电剂的发展很快,尤其是美国、日本和欧洲等发达国家,无论是抗静电剂的生产和销售均居世界前列。日本的BOPP薄膜抗静电剂生产也逐步增K,其中主要厂家有花王石碱、狮子、日本油脂、九菱油化、松本油脂以及第一制药公司等6家。另外,日本大日精华公司开发了13Elecon—300型用于PP和PE树脂。新加坡聚丙公司的产品也适用于BOPP薄膜。欧洲总的来说发展比较稳定,但也看到抗静电剂的问题不容易根本解决,目前尚未有最佳消除BOPP薄膜表面静电的措施,国际上做了大量的研究,但进展也不显著。
                
    与国外相比,国内抗静电剂的研制工作起步较晚,远远落后于发达国家,每年都需要进口大量的抗静电剂和抗静电母料。但近年来抗静电剂的研制获得了一定的进展。目前正向开发导电填料新品种、降低添加量、综合利用填料各种性能、革新加工工艺、提高和稳定产品的抗静电性能等方向发展。专家指出,目前抗静电剂开发的技术关键集中在各类表面活性剂的结构设计。近年来,双亲水性高分子型永久抗静电剂的开发研制工作进展较快,并已部分实现商品化。用各种亲水性聚合物作为抗静电剂,由此开发所谓聚合物合金型永久抗静电树脂,永久性抗静电剂在树脂中的分散状态对树脂的抗静电性有显著的影响。研究表明,永久性抗静电剂以层状结构或筋状形态主要均匀细微地分布在制品表面,形成网状“导电通道”,而中心部分较少且主要以颗粒状存在。高分子型永久抗静电剂可分为聚醚型和离子型。聚醚型包括聚环氧乙烷(PEO)、聚醚酯酰胺、PEG、PEEA和丙烯酸甲酯等;离子型包括季铵盐基甲基丙烯酸酯共聚物等。与低分子量的表面活性剂类抗静电剂相比,高分子型抗静电剂有抗静电效果且持效期长,发挥抗静电作用快,对空气的相对湿度依赖性小等优点。从国内外抗静电剂的发展趋势看,目前正朝着耐热、耐久、功能性强、适用性广和产品系列化的方向发展。
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参考词条