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1)  SIL C
应变诱导漏电流
2)  stress induce leakage current
应力诱导漏电流
3)  stress induced leakage current
应力诱生漏电流
1.
Generation mechanism of stress induced leakage currentin flash memory cell;
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
4)  stress induced leakage current(SILC)
应力诱生漏电流(SILC)
5)  Strain inducing
应变诱导
6)  current-induled
电流诱导
补充资料:反向漏电流(inverseleakagecurrent)
反向漏电流(inverseleakagecurrent)

流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分,硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系,反向漏电流中还包括表面漏电流,表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。

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