1) Alq3/ITO
表面和界面电子状态
2) electronic states of surface and interface
表面和界面电子态
3) surface state
表面电子态
1.
A variational approach is used to study the surface states of electrons in semi-infinite wurtzite nitride semiconductors.
电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略。
4) surface states of electrons
电子表面态
1.
With a viriational treatment, the surface states of electrons in semiconductor GaAs have been studied as a function of hydrostatic pressure taking into account an interpolation fit approximation between the lattice constant, band gap and the pressure effect.
数值结果表明 ,随压力增加电子表面态能级明显向上移动 ,且电子趋近表
5) interface state
界面状态
1.
The interface state of a compound material is one of the main factors to evaluate compound quality.
复合材料界面状态是衡量复合质量优劣的主要评定因素之一,焊接参数和界面状态之间存在着紧密的联系。
2.
In explosive welding, the influence of the base plate thickness on the interface state of explosive composite material is verified by testing and numerical calculation.
本文在试验的基础上,通过数值计算,验证了基板厚度对爆炸复合材料界面状态的影响,提出了当量厚度的概念,并从理论上进行了分析说明,从而丰富和发展了爆炸焊接的成波机理。
3.
On the software,the window of the current LCD display is used as interface state,and the module program structure based the interface state is formed by state trace .
在软件方面,则以当前的液晶屏显示窗口作为界面状态,以状态跟踪为主线形成基于界面状态的模块式程序结构,这种程序结构的作业链清晰,便于调试,而且适合于仪器改进和升级时功能软件的增加或变换。
补充资料：半导体材料表面和界面观察
半导体材料表面和界面观察
surface and interface observation for semiconductor
bandaotl eaillaob旧om旧n he Jiemlan guaneho半导体材料表面和界面观察(s urface and in-terfaee observation for semieonduetor)测定半导体表面相界面的原子排列微区成分和电子态是半导体材料测蚤的重要内容之一。在半导体的表面，不同半导体之间或半导体与金属之间形成的界面上，原子排列和与之相联系的电子结构与半导体内部的情形是不同的。因此，半导体的表面和界面是半导体物理和半导体器件物理研究的重要对象。同时，电子工业特别是微电子工业的发展也为表面和界面分析提供了一个重要的应用场所。所分析的半导体表面多属于清洁表面和再构表面，要求分析仪器试样室的真空度达到10一SPa。 可利用电子束、离子束、原子束、光子和外场如电场、磁场、热场等与表面和界面附近的物质交互作用，得到关于表面和界面原子排列、微区成分和电子态等重要信息。用于表面结构分析的方法主要有低能电子衍射，反射高能电子衍射，场离子显微镜，低能离子散射谱，原子、分子束散射和表面X射线吸收边精细结构等。用于表面成分分析的方法主要有俄歇电子谱、X射线光电子谱、二次离子质谱和离子散射谱等。用于表面形貌分析的方法有表面敏感透射电子显微技术、反射电子显微技术和扫描隧道电子显微技术，这些方法可以直接得到原子尺度的表面形貌细节。它们已成功地用于观察和分析半导体的表面台阶、Si(111)和GaAs(100)表面再构、外延生长和表面反应等。上述方法有些也可适用于界面分析，但最适于界面分析的是电子显微镜断面试样观察法。这种方法是将具有多层结构的半导体材料或半导体器件做成适于透射电子显微镜分析的横断面薄膜，然后在电子显微镜内观察和分析。可用普通透射电子显微镜、高分辨电子显微镜或分析电子显微镜研究。已广泛应用在器件、电路多层结构、异质结和超晶格等分析中。例如Au一Ni一Ge与GaAs的欧姆接触、Pd/GaAs的界面反应以及AIAs/GaAs等超晶格界面和离子注入等器件工艺中。 (李永洪)
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参考词条