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1)  digital silicon MOSFET
数字硅金属氧化物场效应晶体管
2)  Si-VDMOSFET
硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管
3)  process parameters/metal-oxide-semiconductor transistor
工艺参数/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
4)  MOSFET ['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
5)  loss/metal oxide semiconductor field effect transistor
损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
6)  control/MOSFET
控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
补充资料:金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET)
金属-氧化物-半导体场效应管(metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET)

JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结(或肖特基结)控制沟道电流。如不用pn结,而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制,这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的,绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等,以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区,分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构,绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时,源和漏极之间由其周围的结绝缘着,故不通导。当栅极加上电压,栅下氧化层中产生电场,其电力线由栅电极指向半导体表面,外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加,半导体表面将由耗尽而反型,产生电子积累,从而形成一个感生的n型表面薄层,因为其导电类型与衬底的导电类型相反,故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压,可改变沟道中电子密度,从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体,则可构成p型沟道的MOSFET。

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