1) (Bi,Sb) doped ZnO thin film
掺杂ZnO陶瓷薄膜
2) Doped ZnO ceramics
掺杂ZnO陶瓷
3) ZnO-based ceramic films
ZnO陶瓷薄膜
1.
Effect of Cr_2O_3 on the electrical properties of ZnO-based ceramic films with low voltage;
Cr_2O_3掺杂对ZnO陶瓷薄膜低压压敏性能的影响
2.
The ZnO-based ceramic films with nonlinearity coefficient 20, no.
应用新型溶胶-凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响。
4) doped ZnO thin film
掺杂ZnO薄膜
1.
Sb_2O_3-doped ZnO thin film was prepared by RF magnetron sputtering technique.
采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜,通过X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光(UV-Vis)分光光度计研究了Sb2O3对ZnO薄膜结构和光吸收性能的影响。
5) In-doped ZnO thin films
In掺杂ZnO薄膜
6) Al-doped zinc oxide(ZAO) film
Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜
补充资料：陶瓷薄膜
分子式：
CAS号：
性质：用特殊工艺技术，将陶瓷材料制成厚度在几微米以下而仍能保持陶瓷优越性能的一类陶瓷材料。陶瓷薄膜制备方法可分为两大类：(1)物理方法，包括真空热蒸发、直流和射频溅射(包括离子束溅射)，激光蒸发以及分子束外延技术；(2)化学方法，包括喷雾热解、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶(Sol-Gel)及金属有机气相沉积(MOCVD)法等。每种方法均要求在基片上提供合适的原子流以便使需要的成分的薄膜在基片表面上可控生长。各种制备方法均各有其长处和短处，但可以根据不同的材料对象和应用目标选择适宜的工艺技术。常见的陶瓷薄膜有高介电常数的钛酸钡、钛酸铅薄膜。可用于制造大容量的薄膜电容器。掺镧的锶钡钛酸盐薄膜，可制成热敏电阻辐射热测量器。铌酸锶钡薄膜，可制成热释电探测器；钛酸铋薄膜，可制成铁电显示器。钇钡铜氧薄膜，可制成超导体用。氧化铝、氧化锆、氧化钛薄膜，可作为固-液分离膜使用。
CAS号：
性质：用特殊工艺技术，将陶瓷材料制成厚度在几微米以下而仍能保持陶瓷优越性能的一类陶瓷材料。陶瓷薄膜制备方法可分为两大类：(1)物理方法，包括真空热蒸发、直流和射频溅射(包括离子束溅射)，激光蒸发以及分子束外延技术；(2)化学方法，包括喷雾热解、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶(Sol-Gel)及金属有机气相沉积(MOCVD)法等。每种方法均要求在基片上提供合适的原子流以便使需要的成分的薄膜在基片表面上可控生长。各种制备方法均各有其长处和短处，但可以根据不同的材料对象和应用目标选择适宜的工艺技术。常见的陶瓷薄膜有高介电常数的钛酸钡、钛酸铅薄膜。可用于制造大容量的薄膜电容器。掺镧的锶钡钛酸盐薄膜，可制成热敏电阻辐射热测量器。铌酸锶钡薄膜，可制成热释电探测器；钛酸铋薄膜，可制成铁电显示器。钇钡铜氧薄膜，可制成超导体用。氧化铝、氧化锆、氧化钛薄膜，可作为固-液分离膜使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条