1) NTD
探测器级
1.
Manufacture of NTD Monocrystalline Silicon for Detectors;
探测器级NTD硅单晶的研制
2) two-level probe
两能级探测器
3) multistage photodetector
多级光电探测器
4) cascade transtions detector
级联跃迁探测器
5) Discriminator grade CdZnTe detector
甄别级CdZnTe探测器
6) quantum cascade detector
量子级联探测器
1.
The progress of GaAs-based,InP-based and GaN-based quantum cascade detector(QCD) is described,and some parameters of QCD,such as photocurrent responsibility,resistivity,andⅠ-Ⅴfeature are demonstrated.
综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
补充资料：核爆炸地震波探测(见核爆炸探测)
核爆炸地震波探测(见核爆炸探测)
nuclear explosion seismic detection
hebaozho dizhenbo tanee核爆炸地震波探测(nuclear explos，onseismie detecuon)见核爆炸探汉，l。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条