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1)  Si (111)-2×1
Si(111)-2×1
2)  Si(111) substrate
Si(111)
3)  Si(111) 7×7
Si(111)7×7
4)  Si (111) surface
Si(111)表面
5)  Si(111)substrates
Si(111)衬底
6)  Silicon(111) surface
Si(111)面
1.
In this article,Molecular dynamics(MD) was used to study the growth process of diamond-like carbon(DLC) films synthesized via ion-beam-assisted deposition(IBAD) on Silicon(111) surface.
本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学(MD)方法在Si(111)面上模拟研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)膜的物理过程。
补充资料:(DD-8-111"
CAS:20941-65-5
分子式:C20H40N4S8Te
分子质量:720.68
中文名称:(DD-8-111"1"1'1'1"'1"')-四(二乙基二硫代氨基甲酸-S,S')碲
英文名称:diethyl-carbamodithioic acid tetrakis(anhydrosulfide) with thiotelluric acid
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参考词条