1) CC amplifier
共集放大电路
2) common-collector amplifer
共集电极放大器
3) co-emitting amplifying circuit
共射放大电路
1.
By using the hybrid-π model,parameters of the frequency characteristics of the co-emitting amplifying circuit are calculated,and then the frequency characteristics are made simulation analyses by using the circuit simulation software of Electronics Workbench(EWB) and also the results of both calculation and simulation are compared.
通过利用混合π参数模型,对共射放大电路的频率特性参数值进行计算,进而运用电子工作台电路仿真软件,对该电路的频率特性进行仿真分析,理论计算值和仿真结果比较表明,用EWB仿真软件在学习中具有一定的辅助作用。
4) ic amplifier
集成电路放大器
5) grounded base amplification circuit
基极接地放大电路;共基极放大电路
6) common-collector transistor amplifier
共集电极晶体管放大器
补充资料：场效应晶体管放大电路
场效应晶体管放大电路
field-effect transistor amplifier
chQngxlaoying妇ng们guan fongda dlo门!目场效应晶体管放大电路(field一effeet tran-sistor amPlifier)利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管(见场效应半导体器件)是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般晶体管高的输人阻抗。此外，由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，应用日益广泛。 由于场效应晶体管具有输人阻抗高、噪声低的优点，在多级放大电路中，经常用作前置放大级。利用场效应晶体管的恒流特性，在放大电路中也常作恒流源用。 利用场效应晶体管的基本放大电路有三种，分别是共源、共漏、共栅放大电路。 (1)共源放大电路:图(a)是共源放大电路，是用得最广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输人电阻，但由密勒效应引起的输人电容太大，影响高频响应，常用作电压放大。 (2)共漏放大电路:图(b)是共漏放大电路，又名源极跟随器，也是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大，输人电容小，电压放大倍数小于1，常用作输人级以提高输人阻抗，或用作阻抗变换、缓冲电路。 利用场效应晶体管的基本放大电路 (a)共源放大电路;(b)共漏放大电路; (c)共栅放大电路 (3)共栅放大电路:图(C)是共栅放大电路，比共源、共漏放大电路用得少，主要用于高频电路，其中场效应晶体管是N沟道结型场效应管。该电路电压增益大，输人电容小，但输人电阻小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条