1) High-k materials
High-k材料
2) High-k material
High-k物质
3) low-k material
低k材料
1.
The role and characterizations of low-k materials in IC circuits were introduced,and the interrelation between copper and low-k materials were analyzed to identify five materials including SiO2,SiOF,SiOCSP,SiOCNSP,SiOCSO as study objects.
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。
2.
Accurate characterizations of low-k materials are very important in semiconductor manufacturing process.
使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
4) high k materials
高k材料
5) Cu/low k Dielectric Film
铜/低k材料
6) high k/low k isulating material
高k/低k绝缘材料
补充资料：high pressure purifier
分子式：
CAS号：
性质：在高压下脱除气体中杂质的装置。在半导体工业中，高压纯化器主要用于提供配制混合气的底气，即提供高纯或超高纯氮、氢、氩、氦。多采用低温吸附法，即以活性炭或硅胶为吸附剂，在液氮温度下根据吸附剂对杂质的选择性吸附作用脱除气体中杂质。也可以采用各种催化剂。高压纯化器的工作压力愈高，吸附剂的吸附容量会加大，但设备投资也增加。通常压力在10～15MPa。小型高压纯化器用于除去气流中的油、水和粒子，可直接安装在大多数气瓶上，能承受21MPa的压力，但用于氧气时，压力限制在3.5MPa以内。
CAS号：
性质：在高压下脱除气体中杂质的装置。在半导体工业中，高压纯化器主要用于提供配制混合气的底气，即提供高纯或超高纯氮、氢、氩、氦。多采用低温吸附法，即以活性炭或硅胶为吸附剂，在液氮温度下根据吸附剂对杂质的选择性吸附作用脱除气体中杂质。也可以采用各种催化剂。高压纯化器的工作压力愈高，吸附剂的吸附容量会加大，但设备投资也增加。通常压力在10～15MPa。小型高压纯化器用于除去气流中的油、水和粒子，可直接安装在大多数气瓶上，能承受21MPa的压力，但用于氧气时，压力限制在3.5MPa以内。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条