1) dielectric resonator oscillator
介质振荡器
1.
Study and Design of the High Stability Phase-Locked Dielectric Resonator Oscillator;
高稳定度锁相介质振荡器的研究与设计
2.
Based on the study of dielectric resonator oscillator (DRO) ,a highly stable phase locked DRO is de signedbymeansofphaselockedloop (PLL) .
在研究介质振荡器的基础上 ,采用锁相环路控制介质振荡器方法 ,设计了一种高稳定锁相介质振荡器微波源并对设计中的几个主要问题进行了详细描述 ,通过对其相关性能测验 ,证明该高稳定锁相介质振荡器微波源是一种具有时频计量标准精度的微波源 ,填补了该领域国内空白 ,在多个领域中具有较广泛的实用价
3.
Dielectric Resonator Oscillator (DRO) can meet this requirement and the DRO also has the minimal frequency drift over temperature to keep the receiver locked into the selected channel and provide enough output power to directly drive the mixer.
介质振荡器(Dielectric Resonator Oscillator, DRO)毙够满足这一要求,同时DRO还具有温度的变化会引起最小的频率漂移来保证接收机被锁定在目的信道和提供高的输出功率来直接驱动混频器工作。
2) DRO
介质振荡器
1.
Study on a high performance DRO at X band;
一种高性能X波段介质振荡器
2.
On this background, the subject is to research the theory of designing the low phase-noise microwave oscillator based on sampling locked-phase PLL-DRO, and to realize a particular design linking project practice.
在这样的背景下,本文对基于取样锁相技术的PLL-DRO(锁相介质振荡器)低相位噪声微波振荡源的设计理论进行了研究,并结合工程实践进行了具体的设计。
3.
In this paper,a parallel feedback dielectric resonator oscillator (DRO) was introduced, and analysis method was also given.
微波介质振荡器具有体积小、频率稳定的优点。
3) dielectric resonator oscillator (DRO)
介质谐振振荡器
4) VCDRO
压控介质振荡器
1.
In this paper, based on the formula of phase noise and phase noise model of the oscillator, the study on an X-band low phase noise voltage-controlled oscillator (VCO), low phase noise voltage-controlled dielectric resonator oscillator (VCDRO), and two synthesizers are made.
本文在介绍了相位噪声的定义,振荡器相位噪声的产生机理和锁相环原理的基础上,开展了对X波段低相噪压控振荡器(VCO)和低相噪压控介质振荡器(VCDRO)及频率综合技术的研究。
5) dielectric resonator oscillator(DRO)
介质谐振荡器
6) dielectric dot frequency oscillator
介质点频振荡器
补充资料：LC 振荡器
由LC谐振回路作反馈电路的反馈型正弦波振荡器。其放大电路主要由晶体管或电子管构成，自振频率基本上决定于谐振回路的电感L和电容C，振荡幅度主要受制于有源电子器件的非线性和电源电压的幅度。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条