1) split-voltage
分离电压法
1.
This structure uses channel hot-electron to write and split-voltage negative gate source F-N tunneling effect to erase,and has a good disturb immunity when erased with 5V source voltage.
提出了一种能根据嵌入式应用系统容量的不同而灵活选择字节擦除和块擦除两种不同擦除模式的 Be NOR阵列结构 ,该结构采用沟道热电子注入进行“写”操作 ,采用分离电压法负栅压源极 F- N隧道效应进行擦除 。
2) electrical separation process
电气分离法
3) plating-out
电解法分离
4) electrolysis separating method
电解分离法
6) split- electrode method
分离电极法
补充资料：标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
标准操作冲击电压波形(见冲击电压发生器)
standard switching impulse voltage waveform
b .oozhun CooZuo ChongJld，onyo boxlng标准操作冲击电压波形(standard switchingimpulse voltage waveform)见冲击电压发生器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条