1) gallium diffusion
镓扩散
2) Ga-diffused time
扩镓时间
1.
Varying the Ga-diffused time and the mitriding time were found to have great ef.
观测结果表明:采用此方法得到的在预沉积扩镓硅基上生长的GaN晶体膜,随着扩镓时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高,而氮化时间对构成GaN薄膜的颗粒形态影响不大。
2.
Varying the Ga-diffused time and nitriding time was found to have great effect on the crystal quality of GaN films,and the crystal .
用XRD对样品进行了结构分析,测试结果表明:采用此方法得到的预沉积的扩镓硅基生长GaN晶体膜随着扩镓时间和氮化时间的增加,薄膜的晶化程度得到明显提高。
3.
magnetron sputtering and the influence of Ga-diffused times on the GaN films were investigated.
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜,研究硅基扩镓时间对GaN薄膜晶体质量的影响。
3) Open-tube diffusion
开管扩镓
4) Ga-diffused Si(111)substrate
扩镓硅基
5) dispersion
[英][dɪ'spɜ:ʃn] [美][dɪ'spɝʒən]
扩散
1.
Simulation analysis on release and dispersion process of liquefied ammonia tank;
液氨储罐事故性泄漏扩散过程模拟分析
2.
Accident of release and dispersion mode in industrial enterprises;
工业企业事故性泄漏扩散模型
6) diffusion
[英][di'fju:ʒən] [美][dɪ'fjuʒən]
扩散
1.
Mechanism of biosorption of reactive brilliant blue KN-R by inactive Aspergillus fumigatus immobilized on CMC beads:Equilibrium,kinetics,diffusion and mass transfer;
CMC固定化灭活烟曲霉小球对活性艳蓝KN-R的吸附机理——吸附平衡、动力学和扩散传质过程
2.
First-Principle Calculations of the Adsorption, Dissociation and Diffusion of Hydrogen on the Mg(0001) Surface;
H在Mg(0001)表面吸附、解离和扩散的第一性原理研究
3.
Abnormal diffusion behavior in pure iron subjected to surface mechanical attrition treatment;
纯铁表面机械研磨组织中的特殊扩散行为研究
补充资料：半绝缘砷化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
CAS号：
性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条