1) band-to-band
分裂位线NOR
1.
By using the source induced band-to-band hot electron injection (SIBE) to perform programming and dividing the bit-line to the sub-bit-lines,the programming current and power can be reduced to 3.
提出一种新型的PMOS选择分裂位线NOR结构快闪存贮器 ,具有高编程速度、低编程电压、低功耗、高访问速度和高可靠性等优点 。
2) PMOS Selected Divided Bit-Line NOR
PMOS选择分裂位线NOR
1.
A novel Flash memory, which uses the Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron (SIBE) injection to perform programming, and a PMOS Selected Divided Bit-Line NOR (PNOR) array architecture are originally introduced in this dissertation.
本论文首次提出了一种采用源极诱导带带隧穿热电子注入(Source Induced Band-to-Band Tunneling Hot Electron Injection)进行编程操作的新型快闪存储器技术和一种PMOS选择分裂位线NOR(PMOS Selected Divided Bit-Line NOR)快闪存贮阵列结构。
3) NOR circuit
NOR线路
1.
By means of experitnental observation of the voltages and waveforms at every point in the NOR circuit, the calculating methods of every element ln the circuit are given, the circuit is analyzed synthetically, and then some problems of applying this kind of circuit are pointed out.
通过观测各点电位与波形的实验方法，给出了NOR线路中各个元件的计算方法，并对NOR线路进行了综合分析，进而指出了NOR线路在实用中的一些问题。
4) splitting and movement
分裂移位
1.
Computer processing research of phenomenon of Noun phrase splitting and movement;
名词团块分裂移位的计算机处理研究
5) Division site
分裂位点
6) bit-split
位分裂
1.
And for IWT s characteristic in space domain,using efficient algorithm and bit-split skill can greatly increase the operation speed.
利用整数小波变换空间上的非相关性,采用效率优先的算法和位分裂的编码技术,可以使得图像的处理速度有非常大的提高。
补充资料：配位场分裂能
分子式：
CAS号：
性质：在配位场作用下，过渡金属简并d轨道分裂成几组不同能级的轨道，其中能级相差最大的相邻二级能级轨道间的能量差值称为配位场分裂能。在八面体场中五个简并d轨道分裂为t2g(dxy、dyz、dzx)和eg(dx2-y2、dz2)二组不同能级轨道，八面体场分裂能△。即是t2g与eg轨道间的能量差值。在平面正方形配位场中五个简并d轨道分裂为四组不同能级轨道：eg(dyz、dzx)，a1g(dz2),b2g(dxy),b1g(dx2-y2)。其分裂能为b2g与b1g二组轨道间的能量差值。
CAS号：
性质：在配位场作用下，过渡金属简并d轨道分裂成几组不同能级的轨道，其中能级相差最大的相邻二级能级轨道间的能量差值称为配位场分裂能。在八面体场中五个简并d轨道分裂为t2g(dxy、dyz、dzx)和eg(dx2-y2、dz2)二组不同能级轨道，八面体场分裂能△。即是t2g与eg轨道间的能量差值。在平面正方形配位场中五个简并d轨道分裂为四组不同能级轨道：eg(dyz、dzx)，a1g(dz2),b2g(dxy),b1g(dx2-y2)。其分裂能为b2g与b1g二组轨道间的能量差值。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条