1) BiCMOS
双极互补金属氧化物半导体电路
2) bipolar
双极
1.
Existence of solutions for bipolar viscous quantum hydrodynamic model in one space dimension;
一维双极粘滞量子流体力学模型解的存在性
2.
Transient model and analysis of bipolar junction photogate transistor used in CMOS imagers;
双极型光栅晶体管的瞬态特性模型及模拟分析(英文)
3.
A Comparative Study of the Internal Environment Effect of Bipolar Versus Monopolar Transurethral Vaporization of the Prostate in Operation;
单极与双极前列腺汽化术对术中内环境影响的对比研究
3) bipolar charging
双极带电
1.
Theoretical analysis and experimental research on bipolar charging phenomena and electrostatic potential distribution in gas-solid fluidized beds were carried out.
对颗粒的双极带电现象和气固流化床中的静电分布进行了理论分析和实验研究。
4) bipolar membrane(BM)
双极膜（BM）
5) bipolar membrane
双极膜
1.
Preparation of Ni-mSA/CS bipolar membrane and its application to electro-generation of TGA;
Ni-mSA/CS双极膜的制备及其在电合成巯基乙酸中的应用
2.
Production of lactic acid using bipolar membrane electrodialysis;
双极膜电渗析法制备乳酸
3.
Preparation of CS-CMC bipolar membrane and its application in electro-generation of FeO_4~(2-);
羧甲基纤维素-壳聚糖双极膜的制备及其在电合成高铁酸盐中的应用
6) bipolar plate
双极板
1.
Progress on electrode and bipolar plate materials for vanadium redox flow batteries;
全钒液流电池用电极及双极板研究进展
2.
Performance of 304 stainless steel bipolar plate in simulated PEMFC environments;
304不锈钢双极板在模拟PEMFC环境中的性能
3.
Preparation of phenol-formaldehyde resin/graphite bipolar plate conductive composite of high properties;
高性能酚醛树脂/石墨双极板导电复合材料的制备
参考词条
补充资料：互补金属-氧化物-半导体集成电路
基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是：①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35％左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；⑧有"自锁效应"，影响电路正常工作。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
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