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1)  substrate doping density
衬底杂质浓度
1.
Based on the hydrodynamic energy transport model, the influence of substrate doping density on performance for deep sub micron grooved gate PMOSFET is studied using two dimensional device simulator MEDICI and is compared to that of the counterpart conventional planar device.
研究发现 ,随着衬底掺杂浓度的提高 ,与平面器件相同 ,槽栅器件的阈值电压提高 ,漏极驱动能力降低 ,抗热载流子能力急剧退化 ;但与平面器件相比 ,槽栅器件的阈值电压受衬底杂质浓度影响较小 ;漏极驱动能力及抗热载流子性能随衬底杂质浓度提高的退化则较平面器件小得
2)  substrate doping concentration
衬底掺杂浓度
3)  substrate impurity
衬底杂质
4)  Impurity concentration
杂质浓度
1.
The impurity concentration distribution in diode p-n junction can be presented with the simplified models,named as abrupt junction and the linearly graded junction,but precise measurements show there existing limitation in these tradition models.
简化的突变结或线性缓变结模型已能很好地近似二极管p-n结杂质浓度分布规律,但从精密的实验测量结果中发现传统模型存在局限性。
2.
The universal form of power-low is formulated from Passion equation for impurity concentration distribution in diode p-n junction.
基于杂质浓度分布的突变结或线性缓变结模型,二极管p-n结(电)容—(电)压关系可简单地由C-V幂律描述。
5)  impurity on substrate surface
衬底表面杂质
6)  Net impurity concentration
净杂质浓度
补充资料:衬经衬纬圆纬机
      用以编织衬经衬纬针织物的圆型纬编针织机。它在编织平针组织的同时,衬入不参加成圈的经纱和纬纱,形成衬经衬纬针织物。其基本组织结构如图1所示。 这种针织物的纵向和横向的延伸度都较小,具有机织物的特性,除适合做各种外衣外,还可作灌溉用涂塑管道的骨架。在衬经衬纬圆纬机上,有三组纱线:衬经纱、衬纬纱、成圈纱参加编织。其编织机构如图2所示。
  机器的针筒固定在台面上,三角座相对于针筒回转。衬经纱从固定的纱架上引出,通过分经盘(或导经片)由上而下经过针间衬入织物线圈纵行间。所有衬经纱从针筒口向外倾斜一定角度,形成圆锥面,便于成圈纱的喂入。衬纬纱筒子架位于衬经纱外侧,与三角座一起回转,通过导纬器将纬纱衬入针背与经纱之间,依次横向搁在针上的旧线圈上方。成圈纱筒子架位于衬经纱内侧,与三角座同步回转。导纱器处于织针与衬经纱之间,把成圈纱喂入针钩内编织成圈,形成平针组织,同时,使其线圈的沉降弧从内侧包住衬经纱,圈柱从外侧包住衬纬纱,从而使三组纱线结合在一起,形成一种基本的衬经衬纬针织物。  衬经衬纬针织物用于外衣产品时,由于衬经纱和衬纬纱之间没有交织点,易于拱出,因此,需改变其组织结构。例如,通过导经片将衬经纱在针头上绕一圈,并把它向下转移到旧线圈处,再和旧线圈一起向上套圈,使衬经纱与成圈纱结合得更紧密。另外,适当加粗衬纬纱,也可提高衬经衬纬针织物的结构稳定性。
  

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