说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 功率FET大信号
1)  Power FET large signal
功率FET大信号
2)  FET microwave amplifier transistor
FET功率管
3)  power FET application
功率FET应用
4)  large-signal power gain
大信号功率增益
5)  high signal power attack
大功率信号攻击
6)  Power Signal
功率信号
1.
Tool wear model is presented by firstly extracting power signal eigenvalue through tool wear analysis of special spiral rod milling,and then establishing the mapping between the signal eignevalue and the tool wear value.
通过对异形螺杆加工过程刀具磨损状态的分析,提取了能够反映刀具磨损状态的功率信号特征值,并建立了信号特征值与刀具磨损量之间的映射关系,从而得到刀具磨损模型。
2.
The effect of tool wear and breakage on the feature of power signal in time and frequency domain is studied based on a large amount of experiments, and it is indicated that there is a good relationship between tool condition and power consumption or magnitude at the spindle rotation frequency.
通过大量试验,研究了刀具磨损、破损对功率信号时域和频域特性的影响。
3.
The acoustic emission signal and the power signal of grinding wheel motor will change when wheel is dulled or broken in grinding process.
利用声发射 (AE)传感器和功率传感器为信号源 ,固定时间间隔内的声发射信号幅值增量累加及砂轮碰撞破碎时电机功率信号的陡变为砂轮状态识别的特征值 ,应用BP神经网络建立信号特征值与砂轮状态之间的非线性关系模型 ,可以为小批量、多品种产品磨削加工中砂轮状态的智能化在线监测提供准确有效的途径·测试结果证明了该系统的可行性 ,为磨削加工实现智能控制奠定了基础 ,并能为砂轮修整确定最佳的周
补充资料:大功率电力电子器件


大功率电力电子器件
power electronic devices

  dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件,故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高,它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且),要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新,又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源,减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此,所有电力半导体器件无不工作在开关方式下,这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管,为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例,已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通,故名半控型.自20世纪70年代末开始,由于采用了徽电子技术的工艺成就,制成了大功率晶体管(gianttransistor,GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor,GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断,故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的,所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间,妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下,最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展,要求其颇率范围日益扩大。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条