1) surface escape probability
表面逸出几率
1.
The way of calculating electron surface escape probability of CaAs∶Cs O NEA photocathodes is introduced.
介绍了计算CaAs∶Cs ONEA光电阴极电子表面逸出几率的方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响 ,提出了增大电子表面逸出几率的条件 ,并粗略推测了第一偶极层的厚
2) Escape probability
逸出几率
1.
The curve simulation results showed that foreign GaAs photocathodes have low interface recombination velocity, and surface escape probability and electron diffusion length have been improving from standard Gen III to .
曲线拟合结果表明国外GaAs光电阴极的后界面复合速率较低,表面逸出几率和电子扩散长度从标准三代到四代不断提高,这些性能的改善导致了GaAs光电阴极灵敏度的提高。
3) escape probability
逸出概率
4) spill boundary
逸出面
1.
A new method for seepage spill boundary handling is also presented.
同时还提出了一种简便有效的逸出面处理新方法， 并给出了非饱和非稳定渗流计算的实
5) surface leaching rate
表面浸出率
6) Combustible gas escape ratio
气体逸出率
补充资料：逸出峰
分子式：
CAS号：
性质：又称逃逸峰。正比计数器探测入射X射线时，在输出脉冲高度分布里，除有与入射X射线能量成正比的主峰外，还有一个脉冲高度低于主峰的副峰，通常称为逸出峰。
CAS号：
性质：又称逃逸峰。正比计数器探测入射X射线时，在输出脉冲高度分布里，除有与入射X射线能量成正比的主峰外，还有一个脉冲高度低于主峰的副峰，通常称为逸出峰。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条