1) CdTe electro-optical Q-switch
CdTe电光调Q
2) CdTe electro-optical modulator
CdTe电光调制器
3) electro-optic Q-switch
电光调Q
1.
A double Q-switcher-structured resonator that can completely compensate the thermally induced depolarization loss is designed to compensate thermally induced birefringence and thermal lens effect of solid gain medium to get higher output power from a 1 kHz laser diode(LD) side-pumped electro-optic Q-switched Nd∶YAG laser.
为了同时补偿固体增益介质的热致双折射及热透镜效应,进一步提高重复频率1 kHz激光二极管(LD)侧向抽运高平均功率电光调QNd∶YAG激光器的输出功率,设计了一种完全消除热退偏损耗的双调Q开关谐振腔结构,此结构在传统调Q谐振腔的基础上沿着偏振片的退偏方向增加了一个调Q谐振支路,并使得激光从增益介质方向输出。
2.
In this paper,a novel double Q-switcher structure is designed in order to compensate the thermal induced birefringence in the active medium of 1 kHz laser diode(LD)side-pumped electro-optic Q-switched Nd:YAG laser.
为了有效地补偿激光二极管(LD)侧向抽运1000 Hz重复率电光调QNd:YAG激光器棒状增益介质内存在的热致双折射损耗,设计了一种新颖的双调Q晶体开关复合谐振腔结构。
3.
The optimum transmissivity of output mirror for flashlamp-pumped electro-optic Q-switched pulsed Nd~(3+):YAG laser was calculated,which had theoretical reference value for lens coating.
319μm波长激光的方法及研究进展,并计算了灯泵脉冲电光调Q的Nd3+:YAG激光器输出镜对1。
4) electro-optic Q-switched
电光调Q
1.
Characteristics of lamp pumped electro-optic Q-switched solid-state laser and reasons effecting the peak power are analyzed.
分析了灯抽运电光调Q固体激光器的特点以及影响其峰值功率的原因,提出了用将激光棒两端面切磨一定角度的方法来改善激光器的关门特性,提高激光器的最大注入能量。
2.
Laser diode side-pumped and electro-optic Q-switched Nd:YAG laser has many advantages of high repetition rates, high peak power and narrow pulse width.
二极管侧面泵浦电光调Q Nd：YAG全固态激光器具有高重复频率、高峰值功率、窄脉宽输出的特点，是激光技术领域中一个非常重要的研究方向，在军事国防、工业加工、医疗保健、科学研究等领域，具有十分广阔的应用前景。
5) E-O Q-switch
电光调Q
1.
Study on E-O Q-switched Nd∶GdVO_4 Laser Side-pumped by Laser Diode;
LD侧面泵浦Nd∶GdVO_4电光调Q激光器研究
补充资料：cadmium telluride CdTe
分子式：
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
CAS号：
性质：周期表第II，VI族元素化合物半导体。强离子性的共价键结合。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6477nm，为复式晶格。密度5.86g/cm3。熔点1098℃。室温禁带宽度1.50eV。电子和空穴迁移率分别为6×10-2和6.5×10-3/(V·s)。采用区域熔炼法、高压熔融法制备单晶。用于制作近红外光探测器、γ和X射线谱仪、电光调制器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条