2) current collapse effect
电流崩塌效应
1.
It has been demonstrated that current collapse effect was suppressed effectively in doped structures.
对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应。
2.
Under some DC bias stress,the degree of drain current collapse of AlGaN/GaN HEMTs with an AlN insert layer is less prominent than that with no AlN insert layer,indicating that an AlN insert layer can inhibit current collapse effectively.
从测试结果看,无AlN插入层的AlGaN/GaNHEMTs有更显著的电流崩塌程度,表明AlN插入层对电流崩塌效应有显著的抑制作用。
3) current collapse
电流崩塌效应
1.
Pulse width influences less on current collapse.
基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一。
2.
2% induced by bias stress, and if the bias stress is long and large enough, current collapses are approximately even in the same gate voltage and different bias conditions.
研究表明,栅- 漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化,引起沟道中二维电子气浓度降低,从而导致电流崩塌效应的产生。
3.
A review on the progress and resear ch of current collapse of AlGaN/GaN HEMTs is presented.
简要回顾了 Al Ga N/Ga N HEMT器件电流崩塌效应研究的进展 ,着重阐述了虚栅模型、应力模型等几种解释电流崩塌效应形成机理的模型和器件钝化、生长盖帽层等减小电流崩塌效应的措施。
4) the collapses and revivals
崩塌和回复效应
1.
The time evolution of the collapses and revivals of the atomic inversion and the photon number distribution in a system where a two-level atom interacts with the field that is prepared in the coherent state and discussed the influence of the phase decoherence on nonclassical effects are studied.
研究表明:相位退相干系数对原子反转算符时间演化的崩塌和回复效应、光场光子数分布振荡和反聚束效应有十分显著的影响。
5) Collapse and revival phenomena
崩塌与回复效应
6) sand slide
重力崩塌效应
补充资料：崩塌
| 崩塌 avalanche 陡峻山坡上岩块、土体在重力作用下 ，发生突然的急剧的倾落运动。多发生在大于60°～70°的斜坡上。崩塌的物质，称为崩塌体。崩塌体为土质者，称为土崩；崩塌体为岩质者，称为岩崩；大规模的岩崩，称为山崩。崩塌可以发生在任何地带，山崩限于高山峡谷区内。崩塌体与坡体的分离界面称为崩塌面，崩塌面往往就是倾角很大的界面，如节理、片理、劈理、层面、破碎带等。崩塌体的运动方式为倾倒、崩落。崩塌体碎块在运动过程中滚动或跳跃，最后在坡脚处形成堆积地貌——崩塌倒石锥。崩塌倒石锥结构松散、杂乱、无层理、多孔隙；由于崩塌所产生的气浪作用，使细小颗粒的运动距离更远一些，因而在水平方向上有一定的分选性。
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参考词条