1) Nonlinear forecast filter
非线性预测滤波器
2) Nonlinear predictive filter
非线性预测滤波
3) adaptive linear prediction error filter
线性预测滤波器
1.
A new method for ARM detection Based on adaptive linear prediction error filter and subsection dechirp is proposed.
先利用线性预测滤波器抑制掉强载机信号,然后利用分段解线调法估计ARM信号的调频斜率参数和起始频率参数。
4) nonlinearinverse filtering technique
非线性预测反滤波
1.
Anonlinearinverse filtering technique is then used to suppress the artifacts ofsubglottalvoice source waveforms caused by theinteraction between supraglottal and sub glottal vocalt.
在声门上、下声道耦合的条件下，用非线性预测反滤波技术提取了声门下嗓音源，并在不同发声方式条件下运用该模型和人体实验证实了该方法的有效性，克服了线性预测反滤波技术的不足，并消除了声门上、下声道所产生的伪迹。
5) linear prediction inverse filter
线性预测反滤波
6) nonlinear filter
非线性滤波器
1.
Then,a low-pass nonlinear filter and a high-pass nonlinear filter are introduced to optimize the objective function which is determined by the car body vertical acceleration and the suspension travel.
采用增加高低通非线性滤波器的方法,对以车身垂直加速度和悬架动行程为目标的控制函数进行优化处理,并利用多滑模鲁棒控制方法,设计了一种主动悬架的非线性路面自适应控制器。
2.
In order to overcome the drawbacks of traditional Discrete Nonlinear filter fast Algorithm of Digital Image: heavy computation,this paper raises a new wavelet fast algorithm,which can be used to design a nonlinear filter.
文中针对传统数字图像离散序列非线性滤波器算法中运算量大的缺陷,提出了一种新的基于小波变换的数字图像离散序列非线性滤波器计算方法。
3.
An image nonlinear filter based on Partial Differential Equations (PDE) has good performance, but it consumes large time and resource.
仿真实验结果表明，CNN-PDE非线性滤波器取得了满意的滤波效果，用CNN实现PDE非线性滤波器的方法是有效可行的。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条