1) high degree integrated chips
高集成度芯片
2) chip integration
芯片集成度
1.
With the increase of chip integration level and packaging density,the heat density generated in computer keeps increasing exponentially in recent years.
随着芯片集成度及整机安装紧凑性的提高,计算机发热密度近年来一直呈指数级增长。
3) IC temperature
集成芯片温度
4) wafer scale integration
芯片标度集成
5) integrated chip
集成芯片
1.
Three-phase inverter power supply design proposal was proposed using the 89C51 single-chip control technology unified with high accuracy three-phase programmable PWM integrated chip SA4828, elaborated the principle, advantages and the identity of SA4828, the design method of static state inverter was presented using SA4828, in the same time.
提出了用高精度三相可编程PWM集成芯片SA4828与89C51单片机控制技术相结合的三相逆变电源的设计方案,阐述了SA4828的基本原理、特性及其应用SA4828设计静态逆变器的方法,介绍了三相大功率逆变器的控制单元电路、各种检测保护电路和软件控制的设计原理与设计过程,实验验证了从静止逆变器中产生了预期的PWM波形,实现了高质量的正弦波。
2.
The function generator MAX038 has complete machines function,the integrated chip synthesize of undee produce and transfer circuit.
函数发生器MAX038是具有整机功能的、将波形的产生和变换电路综合在一起的集成芯片。
3.
This commercial integrated chip can be used in the local oscillation circuit, high-accuracy clock generator and so on.
这种商用集成芯片可用于本振合成回路,高精度时钟发生器等。
6) PWM integrated chip
PWM集成芯片
1.
Based on PWM integrated chip TL494,a voltage driver is designed for MR Fluid damper.
设计基于PWM集成芯片TL494的磁流变减震器励磁线圈的驱动电路。
补充资料：高性能金属-氧化物-半导体集成电路
器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小，其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术，简称HMOS。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
按比例缩小原则 表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后，电路性能提高的情况：速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化，对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中，希望电源电压保持不变，因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进，比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的，而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
微细化 MOS电路的次级效应 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后，会出现一系列的次级效应。①短沟道效应：沟道过短时，开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应：沟道太窄时，开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通：沟道过短并加上一定的V时，源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应：在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低，从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应：沟道长度缩短到一定程度后，沟道区内的电场变得很强，使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中，引起开启电压的漂移，从而使长期工作不尽可靠。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条