1) lon-bound excitons
束缚离子激子
2) bound exciton
束缚激子
1.
Effects of hydrogenic donor impurity position on the binding energy of a bound exciton in Ⅲ-nitrides quantum dots;
III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响
2.
The effects of calcining temperature and Sn dopant content on the properties of photoinduced charges of TiO2 were discussed in details, and the relationships between the structure and bound excitons as well as the characteristics of bound excitons of the as-prepared samples were reveale.
同时揭示了样品结构与表面光生束缚激子的关系及其特性。
3.
This paper calculates the ground state energy and binding energy of abound exciton in GaAs/Ga1-xAlxAs material by using variational method and discussesthe results obtained.
用变分法计算了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ材料中束缚激子的基态能和结合能，并对计算结果进行讨论，得出当量子点半径取适当数值时人们有可能在更高温度下观测到量子点中的激子的结论。
3) bound excitons
束缚激子
1.
The variable metric algorithm for ground state energy of ionized-donor-bound excitons in semiconductors;
半导体束缚激子基态能的变尺度法
5) bound exciton state
束缚激子态
6) bound counterion
束缚反离子
补充资料：等离子体激元衰变中微子过程
等离子体中各种形式的波的量子叫作等离子体激元Γ（可看作准粒子）。等离子体激元衰变为一对正、反中微子的过程，称为等离子体激元衰变中微子过程。其反应为Γ→ve＋尌e。式中右端的ve＋尌e也可推广为vμ+尌μ，vτ+尌τ等，在真空中传播的自由光子,由于能量、动量守恒定律的限制(光子能量等于其动量和光速的乘积)，不可能衰变为正、反中微子对。但是对于在等离子体中传播的光子，这种形式的等离子体激元相当于一个具有静止质量的光子，却可以衰变为正、反中微子对。这是由等离子体激元湮没为正、负电子对的电磁作用和由中介玻色子传递的弱作用二者组合起来的过程。这一过程使系统的能量被中微子带走。因为中微子与星体物质的相互作用微弱，所以它们有很强的穿透力，能够迅速逃逸。星体温度愈高，高能量的等离子体激元所占的百分比愈大，由衰变过程损耗的能量也愈大。由于等离子体激元的静止质量随着介质密度增加而增大，所以，在高密度区域内，和其他的星体辐射中微子机制比较，等离子体激元衰变中微子过程是星体中能量损耗的主要过程。中微子过程引起的星体能量损耗对星体的演化有重要作用（见中微子天文学）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条