1) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
碳纳米管晶体管
2) carbon nanotube crystal
碳纳米管晶体
1.
In this paper,we performed the first-principles calculations of the effects of the uniaxial pressure on electronic structures of the (6,6) single-walled carbon nanotube crystal (SWNTC).
计算研究发现:由碳纳米管(6,6)组成的四方结构晶体(t相)具有金属特性,电子可以沿碳纳米管管壁运动;在单向压力作用下,t相发生结构相变形成非成键相,随着压力的进一步增大,碳纳米管间产生键合,形成了成键相;单向压力对碳纳米管(6,6)晶体的能带结构影响主要表现在π能带和π*能带,伴随着单向压力的增加,碳纳米管晶体的电学性质经历从金属到半导体再到活泼金属的转变;非成键相的电子被局域在碳纳米管附近使晶体具有半导体特性,而成键相的电子不仅可以沿着碳纳米管管壁运动,还可以在碳纳米管之间(即成键方向)运动,从而使成健相晶体具有活泼的金属特性。
3) CNTFET
碳纳米管场效应晶体管
1.
The most important device in them is the device based on carbon nanotubes named as carbon nanotubes field effect transistors(CNTFET).
由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)。
4) nanotransistors
纳米晶体管
1.
After scaling down to nanosized range,the usual used SiO2 for the gate dielectric of MOS transistor can not be suitable for the further scaling down of nanotransistors,the high k gate dielectric should be used.
Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。
5) amorphous carbon nanotubes(ACNTs)
非晶碳纳米管
6) carbon nanotubes
碳纳米管
1.
Simulation of mechanical properties of single-walled carbon nanotubes by molecular dynamics;
单壁碳纳米管力学性质的分子动力学模拟
2.
Fabrication of multi-walled carbon nanotubes/SBS composite and its electrical percolation;
多壁碳纳米管/SBS复合材料的制备及其渗流特性
补充资料：管状定向碳纳米管
纳米本意是一种长度单位,纳米材料是指材料的尺寸处于1~100nm范围内的金属,金属化合物,无机物或高分子的颗粒,对纳米材料的研究和开发依赖于能看清原子或分子世界的仪器,1993年12月中国科学院庞世瑾教授在硅表面搬走了原子,写下了"中国"的字样,人类按需要排布一个个原子的技术成为现实,前不久,我国科学家成功合成了3nm长的管状定向碳纳米管,长度居世界之首,这种碳纤维具有强度高,刚度(抵抗变形的能力)高,密度小,熔点高,化学稳定性好的特点.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条