1) lower threshold voltage V T-
下限阈值电压VT-
2) threshold voltage decreasing
阈值电压下降
1.
Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFET
短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究
2.
Based on the charge sharing principle,the model of threshold voltage decreasing due to the short channel effect for double gate and surrounding gate MOSFET s is derived.
基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 。
3) threshold voltage
阈值电压
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs;
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
3.
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects;
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
4) Voltage threshold
电压阈值
5) subthreshold value voltage
亚阈值电压
1.
A design method of low-power CMOS two stages amplifier working in the condition of subthreshold value voltage is introdluced,and an in-depth analysis of circuit parameter and performance is made.
因此提出一种工作在亚阈值电压范围内的低功耗CMOS两级运放的设计方法,并对电路的参数和性能做深入分析是很必要的。
6) dual threshold
双阈值电压
1.
Low-voltage-operation charge pump circuits with dual threshold voltage;
低电源电压条件下的双阈值电压泵
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条