1) surface parameter measurement
表面参数测量
1.
Based on M Estimate technology of robust filtering, this paper proposes an entirely new method for the processing to the outlier, which exist in the surface parameter measurement of large rotary machine.
本文基于稳键滤波的 M估计技术 ,提出了一种全新的、对大型旋转机械的表面参数测量中出现的异常值的处理方法 ,并给出了数学模型和实验结果。
2) surface energy parameter
表面能量参数
1.
Surface hemocompatibilities of graphite, diamond-film and diamond-like coating were investigated by comparing the surface energy parameters with the conformation changes of plasma-proteins and platelets on the surfaces of these materials.
通过比较表面能量参数,血浆蛋白吸附在碳素材料表面后的构象改变和血小板粘附在碳素材料表面后的形态改变,对3种生物碳素材料表面的血液相容性进行了研究。
3) Surface roughness--Terminology--Measurement of surface roughness parameters
GB/T 7220-1987 表面粗糙度 术语 参数测量
5) Parameter measurement
参数测量
1.
A new method of RLC parameter measurement;
一种RLC参数测量新方法
2.
Study of parameter measurement and location method in non-cooperative bistatic radar;
非合作双基地雷达参数测量与定位方法研究
3.
The SLIM parameters have clear errors to the real values on the base of the RIM parameter measurement method because there are larger air gap and edge effect.
SLIM相对旋转异步电机(RIM)存在气隙大、边缘效应等,若采用RIM开路和短路试验方法,会给参数测量带来较大误差。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条