说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 微结构和光学性质
1)  Microstrcture and optical properties
微结构和光学性质
2)  Structural and optical characterization
结构和光学性质
3)  structure and electronic properties
结构和电学性质
1.
The structure and electronic properties for the SnO_2∶Sb films were studied.
采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上低温制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)透明导电膜,对薄膜的结构和电学性质进行了研究。
4)  microstructures and optical properties
微结构、光学特性
5)  structural and optical properties
结构和光学性能
6)  structural and optical characteristic
结构和光学特性
补充资料:半导体材料的光学性质


半导体材料的光学性质
optical property of semiconductor

bondaotl eol}旧0 de guongxue xjngzhl半导体材料的光学性质(optieal property ofsemiconduetor)半导体材料中原子、电子与光子的相互作用涉及到半导体材料对光的透射、吸收和发光。半导体材料的光学性质与半导体材料的禁带宽度E:及材料中的杂质原子种类和状态密切相关,导致各类半导体材料在化学性质上有很大差异。 透射可见光的光子能量在1一3eV范围内,因此对于E:>3eV的晶体(大多是绝缘体)可见光将不被吸收,这样的材料是透明或接近透明的。对于E:小的晶体,例如金属的E:一o,透入的可见光将全部被吸收,材料不透明。半导体材料的Eg在接近3eV时呈半透明状,Eg小的半导体材料对可见光不透明,但大部分半导体对于波长较长的红外光则是透明的。 吸收光照射到半导体上,除部分反射外,一部分将透入半导体。光子能量凡>E,时,价带中的电子吸收后,可激发到导带中去,在价带中留下空穴。这种由光照引起的载流子浓度的增加,导致电导率的增加,称为光电导。△,~q(△n产n+△P产p),式中,为电导率,△n和△P为光注入的非平衡载流子浓度;q为电子电量;群。和产。分别为电子和空穴迁移率。光照引起本征激发,称为本征光电导,光照引起杂质激发,称方杂质光电导。根据这一原理可制作光敏电阻。 在弱光照的条件下,少数载流子可增加几个数量级,而多数载流子增加不多。在停止光照后,增加的少数载流子将被复合掉。非平衡少数载流子从产生到复合掉的平均时间:称为少子寿命。显然如果禁带中存在着深能级,又称复合中心,将大大增加复合率和产生率,会使它变小。 发光光照或加以电场的作用,可以使半导体材料中的电子处于激发态,这些处于激发态的电子必然会向较低的能级跃迁,并以光辐射的形式释放出能量,这就是半导体材料的发光现象。由于硅、锗的能带结构属于间接能隙,导带底不在叉一。处,因此在复合过程中必须通过声子和复合中心进行,这样的复合一般是非辐射性的。但砷化稼与硅、锗不同,它的导带底和价带顶都位于叉~o处,是直接能隙材料,导带中的电子可以直接与价带中的空穴复合发射出能量w一E:的光子。按激发的方式,半导体发光可分为场致发光(电致发光)或光致发光。发光二极管一般采用场致发光。 (施钵行)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条