1) electrical diskette
电子固体盘
2) solid state drive(SSD)
固态电子盘
3) solid electron theory
固体电子论
4) solid electronics
固体电子学
5) solid electronic device
固体电子器件
1.
A new solid electronic device-BJMOSFET based on SOI is introduced and its operating principle is analyzed.
提出了一种新型固体电子器件———基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理。
6) solid-state atomic battery
固体原子电池
补充资料:电子束与固体相互作用
电子束与固体相互作用
electron beam-solid interaction
电子束与固体相互作用eleetron beam一Solidinteraction具有一定能量或动量的电子束进入固体,与其表面或体内原子发生弹性或非弹性碰撞,引起电离能量损失、辐射能量损失和多次散射。 入射电子与固体靶原子的核外电子发生非弹性碰撞,使原子电离或激发而损失能量,称为电离损失。如果入射电子同原子内壳层电子碰撞,并使其跃迁到高能级未占据态,原子处于高激发态,经过退激,处在较外层电子跃迁到内层电子留下的空穴,则放出X射线或俄歇电子。如果入射电子与原子外层电子碰撞,除了引起单电子激发和二次电子发射(电离)外,还会出现传导电子的集体激发,即等离子体共振或等离子元激发。这是价电子密度相对于正电荷芯的振荡行为,并以纵向行波方式传播。在金属(尤指碱金属)中,价电子行为是准自由的,集体激发的方式是主要的;惰性元素构成固体中的等离子元激发很弱,多数固体则处于两者之间。 电子穿进物质,除使原子电离或激发损失能量外,还同靶原子核发生非弹性碰撞,发射电磁辐射而损失能量,称韧致辐射。 弹性散射是入射电子与靶原子核发生库仑散射,只改变运动方向,而不辐射能量。少数电子接近原子核,受到大角散射。大多数电子离原子核较远,受到核外电·子屏蔽,散射角小(如能量为100 keV的电子,散射角只有几度)。在晶体中,电子束受到晶格点阵原子散射后,散射束因干涉效应使其强度随散射角呈峰值变化,这变化与晶格原子间距和排列有关。这种弹性散射称为衍射。 利用上述特性制成的高分辨透射电子显微镜、扫描电镜、电子能量损失谱仪、低能电子衍射等广泛用于物质结构分析。经过聚焦和控制的电子束还可用于材料表面和固态器件的微米和亚微米加工。(王广厚)
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条