1) non-linear PIC
非线性并行干扰删除
1.
Aiming at the capacity of multi-user STBC systems dramatically affected by MAI and IPI, the scheme of multi-user CDMA STBC based on multistage weighted non-linear PIC(WNPIC) is proposed.
针对多址干扰与径间干扰严重地影响多用户空时分组码(STBC)CDMA系统容量的问题,提出了采用基于加权多级非线性并行干扰删除的空时分组码(基于WNPIC的STBC)多用户CD-MA方案,并从理论上分析和比较了基于RAKE接收的空时分组码系统和基于加权多级非线性并行干扰删除空时分组码系统的误码率性能。
2) parallel interference cancellation
并行干扰删除
1.
Secondly,one parallel interference cancellation(PIC) structure based on non-linear feedback was designed.
通过分析重叠剪切(OC)法频域均衡(FDE)固有误差的产生原因和分布特点,提出了对其进行改进的方案——自适应重叠剪切(AOC)法;同时设计了一种基于非线性反馈的并行干扰删除(PIC)结构。
2.
A parallel interference cancellation based mobile localization algorithm was proposed to mitigate the multiple access interference and to improve the location accuracy in mobile positioning systems.
为解决移动台定位时存在的多址干扰和远近效应,提高定位精度,提出了一种基于并行干扰删除的移动台定位算法。
3) weighted PIC
加权并行干扰删除
4) Multistage PIC
多级并行干扰删除算法
5) interference cancellation
干扰删除
1.
A novel low-complexity frequency-domain implementation method is proposed for the receiving algorithm combined frequency domain equalization and interference cancellation.
针对重叠剪切法的频域均衡联合干扰删除接收算法,提出了一种新的低复杂度的频域实现方法。
6) parallel deletion
并行删除
1.
At the worst case, the logN lock operations of old parallel insertion algorithm is reduced to loglogN+θ(1), the 2logN lock operations of old parallel deletion algorithm is reduced to logN+loglogN+θ(1), there N is the number of element of heap.
利用上浮路径、下沉路径的概念，采用二分查找定位技术，提出了堆上并行插入删除的新算法；最坏情况下使得原有并行插入算法的ｌｏｇＮ次加锁操作降低到ｌｏｇｌｏｇＮ＋θ（１）次；原有并行删除算法的２ｌｏｇＮ次加锁操作降低到ｌｏｇＮ＋ｌｏｇｌｏｇＮ＋θ（１）次，其中Ｎ为堆中元素的个数。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条