1) C+ implantation
碳注入
1.
Blue luminescence at about 431nm is obtained from epitaxial silicon after sequential processing of C+ implantation, annealing in hydrogen ambience and chemical etching.
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于 431 nm 左右的蓝色荧光峰。
2) carbon ion implantation
碳离子注入
1.
In order to study the effect of carbon ion implantation on the aqueous corrosion behavior of zirconium, specimens were implanted with carbon ions with fluence ranging from 1×1016 ions/cm2 (1E16C) to 1×1017 ions/cm2, using a metal vapor vacuum arc source (MEVVA) at an extraction voltage of 40 kV.
为了研究碳离子注入对纯锆耐蚀性的影响,用MEVVA源对纯锆样品进行了1×1016ions/cm2至1×1017ions/cm2的碳离子注入,注入加速电压为40kV。
2.
This paper reports the effects of carbon ion implantation at 100 keV and 10 15 /cm 2 on the seed germination rate, development, growth, and chloroplast structure of Stevia rebaudiana seedling.
表明该能量剂量的碳离子注入将影响种子的生长发育，其原因之一是叶绿体发育迟缓和叶绿体的损伤。
3) tungsten plus carbon dual implantation
钨和碳双注入
4) C+ion beam implantation
碳离子束注入
5) implantation
[英][,implɑ:n'teiʃən] [美][,ɪmplæn'teʃən]
注入
1.
Mutation breeding of citric acid-producing strain by Fe and C ions implantation
铁离子和碳离子注入诱变柠檬酸生产菌的初步探讨
2.
The aim of the work was to make the comparison of the effect of cerium ion implantation with that of niobium ion implantation by using a MEVVA source at the energy of 40 keV with a dose ranging from 1×1016 ions/cm2to 1×1017 ions/cm2 at the maximum temperature of 130℃.
利用MEVVA源对Zr-4合金分别进行1×1016ions/cm2至1×1017ions/cm2剂量的铈离子与铌离子注入,比较了Ce/Nb离子注入对Zr-4合金氧化行为的影响。
3.
An overview of the FIB direct write technique,applications in milling,implantation,and deposition is given.
概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。
6) injection
[英][ɪn'dʒekʃn] [美][ɪn'dʒɛkʃən]
注入
1.
Influence of space charge effect on the axial injection of high intensity cyclotrons;
空间电荷效应对回旋加速器轴向注入的影响
2.
Numerical simulation is used to optimize the injection pattern of polymer enhanced foam flooding.
以胜利油田孤岛中二中油藏为研究对象,通过物理模拟试验,证明了聚合物强化泡沫驱比单一泡沫驱或聚合物驱具有明显的提高采收率优势;应用数值模拟,优化了聚合物强化泡沫驱的注入方式;现场单井试验结果表明,强化泡沫体系在三次采油领域具有较好的应用前景。
3.
Based on the classical molecular dynamics method and TLHT potential model,the injection processes of He atom into SWCNT with wall defects of different radius are studied.
采用经典分子动力学方法和TLHT势模型,研究了He注入不同管壁缺陷的单壁纳米碳管(SWNCT)的动力学过程,发现对应不同入射能量,He有4种典型的运动模式。
补充资料：含不饱和碳碳键聚合物
分子式：
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
CAS号：
性质：含不饱和碳碳键的功能聚合物主要有三种类型，第一种为聚合物中不饱和键相互共轭，构成线性共轭聚合物，包括聚乙炔型、聚芳杂环和聚苯衍生物。这类聚合物多具有电子导电和光导电特性，经掺杂处理后导电率可以达到半导体，甚至金属导体范围。是重要的导电聚合物。第二种为不饱和键表现为多核芳香烃，或者多核杂环等共轭结构，而各共轭结构相互之间相对独立，处在饱和聚合物的侧链上。这种聚合物多表现出一定光导特性，如聚乙烯基咔唑，是重要的高分子光导材料。第三种为不饱和键在聚合物中孤立存在，如含有肉桂酸酯的聚合物，这种聚合物在紫外光照射下能够发生交联反应，是潜在的负性光刻胶，可以用于印刷制版和集成电路生产。碳碳双键中的π电子还具有配位能力，与过渡金属离子构成类似二茂铁型络合物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条