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1)  Exposure synthesis
曝光合成
2)  mixed lithography
混合曝光
1.
PHEMT devices with T-shaped gate have been developed by using the mixed lithography—a new method combining the Electron Beam Lithography(EBL) with the normal contact lithography.
通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法 ,并利用复合胶结构 ,一次电子束曝光制作出具有 T型栅的 PHEMT器件 ,并对 0 。
3)  coupled exposure meter
耦合曝光表
4)  patterning exposure
图像形成曝光
5)  Direct exposure imaging
直接曝光成像
6)  CPM Cost Per thousand impressions
每千次曝光成本
补充资料:氨合成平衡速率氨平衡合成率
分子式:
CAS号:

性质:又称氨合成平衡速率氨平衡合成率。在不同的催化反应条件下,氨合成反应达到一定程度的化学平衡时氨合成的反应率或合成率。在实际氨合成生产中,不可能达到平衡氨合成率,在工业上设计氨合成塔时,就必须着眼于它的运行能最大限度地接近平衡氨合成率。

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参考词条