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1)  transit time in the BC junction depletion region
BC结耗尽区电子渡越时间
2)  collector transit time
集电区渡越时间
1.
The formulation of the voltage-dependent collector transit time has been established.
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程。
3)  electron transit time
电子渡越时间
例句>>
4)  transit time region
渡越时间区
5)  electron transit time error
电子渡越时间误差
6)  base transit time
基区渡越时间
1.
A model of the base transit time of SiGe HBT;
SiGe HBT基区渡越时间模型
2.
Based on the known model of the base transit time of SiGe HBT, the effect of heterojunction barrier effects(HBE) on the base transit time is considered and calculated.
在已有的SiGe HBT基区渡越时间模型的基础上,考虑了势垒效应对其产生的影响以及与基区Ge分布的关系。
3.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
更多例句>>
补充资料：耗尽区（depletionregion）
耗尽区（depletionregion）

在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降，这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区。

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