1) Drain Disturbance
漏极干扰
1.
The key killers to the retention of Flash memory are three different types of disturbances, DC-Programming, DC-Erasure, and Drain Disturbance.
直流写、直流擦以及漏极干扰是影响Flash存储器长期有效保存数据的主要原因,本文在Mohammad失效模型的基础上提出了一个更优的测试算法,从而有效缩短测试时间,节约生产成本。
2) leakage interference
泄漏干扰
3) passive electronic countermeasure
消极干扰
5) polar cap disturbances
极冠干扰
6) limit of interference
干扰极限
补充资料：摆放式干扰机(见通信干扰设备)
摆放式干扰机(见通信干扰设备)
hand-emplaced jammer
baifongshi gQnraoii摆放式干扰机(hand一emplaeed jam;ner)见通信干扰设备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条