1) asymmetric SOI MOSFET
不对称SOI MOSFET
2) Single-Gate SOI MOSFET
单栅SOI MOSFET
3) Double-Gate SOI MOSFET
双栅SOI MOSFET
4) fully depleted SOI-MOSFET
全耗尽SOI-MOSFET
1.
A novel approximation of the two-dimensional(2D)potential function perpendicular to the channel is proposed,and then an analytical threshold voltage model for a fully depleted SOI-MOSFET with a non-uniform Gaussian distribution doping profile is given based on this approximation.
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型。
5) MOSFET
['mɔsfet]
MOSFET管
1.
Research on the on-off characteristics based on MOSFET voltage-type inverter;
基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究
2.
Then based on analysis of the driving character of giant magnetostrictive material and the driving power of giant magnetostrictive actuator, we give a circuit of driving power of giant magnetostrictive actuator on MOSFET.
介绍了稀土超磁致伸缩微致动器的结构、工作原理 ,给出了基于功率MOSFET管的超磁致伸缩执行器驱动电源的电路 ,实验表明该驱动电源可以满足微致动器的工作需要。
补充资料：对称与非对称
反映客观事物在结构、功能、时空上的特殊联系的范畴。对称指事物以一定的中介进行某种变化时出现的不变性，非对称指事物以一定的中介进行某种变化时出现的可变性。在自然界中普遍存在，形式多样。对称有空间对称(包括形象对称和结构对称)、时间对称、概念对称等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条