1) Mott transition nanotransistor
Mott转变纳米晶体管
2) nanotransistors
纳米晶体管
1.
After scaling down to nanosized range,the usual used SiO2 for the gate dielectric of MOS transistor can not be suitable for the further scaling down of nanotransistors,the high k gate dielectric should be used.
Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之。
3) transistor
[英][træn'zɪstə(r)] [美][træn'zɪstɚ]
碳纳米管晶体管
4) Mott transition
Mott转变
5) Si nanotransistor
Si纳米晶体管
1.
As a representative,Intel Corporation is studying the sub-50-nm Si nanotransistors,and when they developed THz CMOS planar transistors,they overcame a lot of difficulties such as gate leakage current ,off-state leakage,resistance enhanced and higher operation voltage.
目前,Si纳米晶体管的小型化并没有停止的趋势,除此以外,碳纳米管晶体管、Mott转变纳米晶体管以及有机纳米晶体管都在受到大力关注和正在研制之中。
6) nanoscale organic transistor
有机纳米晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条