1) JFET amplifier
结型场效应管放大器
3) JFET
结型场效应管
1.
A Type of Negative-resistance Device Constructed by Complementary JFET;
一种互补结型场效应管负阻器件
2.
Finally,an N channel JFET common source emitter amplifier circuit was taking as example and used in the mixed signal simulator SMASH5.
提出一种基于SPICE模型半导体器件的VHDL-AMS行为建模方法,给出了结型场效应管模型中温度效应、噪声、直流和电容方程的行为模型,最后以N沟道结型场效应管共源极放大电路为例在混合信号仿真器SMASH5。
3.
Because of the nonlinearity of the diode and JFET in the circuit, the disturbance caused by the nonlinearity of the pho- totransistor in the sensor was reduced effectively.
利用二极管及结型场效应管的非线性特性，对光电传感器输出信号进行了非线性处理，有效地消除了由于传感器中光电三极管的非线性而引起的附加干扰，提高了传感器的抗干扰能力，增强了实际应用的适应性。
4) bi fet amplifier
双极.场效应晶体管放大器
6) FET amplifying circuit
场效应管放大电路
1.
Finally the maths software Matlab was used to make a detailed and dynamic analysis of FET amplifying circuit according to concrete steps of graphical method.
首先通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,其次拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。
补充资料：结型场效应晶体管
结型场效应晶体管
junction field effect transistor
妇exingchongx}OOying妇ngtjgUOn结型场效应晶体管(j unction field effecttransistor)利用半导体PN结反向偏置条件下的电场效应进行工作的场效应半导体器件。其特点是栅源间的电阻高，可以达到10?n以上，它是电压控制器件，所需控制电流极微，且受温度、辐射等外界条件影响小，广泛应用于放大电路和开关电路中，也可做为压控电阻使用。 结构和工作原理结型场效应晶体管的结构示意图如图1〔a)所示。在一块N型半导体材料两边扩散高浓度的P型区(用P+表示)，形成两个PN结。从两边P十型区引出两个欧姆接触电极并连在一起称为栅极g，在N型本体材料的两端各引出一个电极，分别称为源极S和漏极d。中间的N型区是载流子通过漏、源两极的通路，称为导电沟道。具有这种结构的结型场效应图IN沟道结型场 效应晶体管(a)结构示意图;(b)图形符号晶体管称为N沟道管，图1(b)是它的图形符号。还有一种与它对偶的结构形式称为P沟道管，它的图形符号，栅极箭头应向外。沟道的上下两侧与栅极分别形成PN结，改变加在PN结两端的反向偏置电压，就可以改变导电沟道的宽度，实现以改变栅源电压uGs来控制电流￡D的目的。uGs值越负，导电沟道越窄，当uGs加大到一定值时，导电沟道被夹断，坛、0，这时的uGs称为夹断电压:印。 特性曲线当。Ds一定时，uGs和场之间的关系称fD，nl产11〕55“Ds二常数为转移特性，见图2。在脚簇uGs簇0范围内，iD随uGs的增加(负值减少)近似按平方律上升，故有;_;卜_竺{ \祝P/uGs，V图2转移特性式中IDs。称为饱和漏极电流。这一特性常被用来作为混频调制和检波。转移特性上工作点的斜率，称为跨导gm，它是表征结型场效应晶体管放大能力的一个重要参数，单位为毫西(ms)。此外，尚有漏极特性(亦称输出特性)，它描述以uGS为参变量时，而和uDs之间的关系，见图3。飞从图中可见，管子的工作状态可以分成三个区:①可变电阻区。该区的特点是uDs较小，扬几乎与uDs成线性关系增”加。增加的比值由uGs控可变电阻区“cs之OV恒流区一ZV』卫一4V 夹断区为s，v图3漏极特性制。这时结型场效应晶体管的d、s之间可以看成一个由电压匆s控制的可变电阻。②恒流区(也称饱和区)。曲线近似水平的部分是恒流区，uDs较大。该区的特点是in的大小受uGs控制，而当uDs增大时，扬只略有增加，因而可以把iD近似看成为一个受uGS控制的电流源。③夹断区。当uGS
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