1) ethanol-sensing material
酒敏材料
1.
The research on ethanol-sensing materials, such as SnO_2, ZnO, Fe_2O_3 and composite metal oxide wassummarized.
概述了SnO_2、ZnO、Fe_2O_3和复合金属氧化物酒敏材料的研究现状,阐述了掺杂、材料粒径纳米化对酒敏性能的影响。
2) gas-sensing material
气敏材料
1.
Development of Fe_2O_3 gas-sensing material;
Fe_2O_3气敏材料研究进展
2.
Study on catalytic property and gas sensing mechanism of indium oxide-based gas-sensing materials;
In_2O_3基气敏材料的催化性能及敏感机理研究
3.
Preparation of ZnO gas-sensing material by nucleation/crystallization separation method
成核/晶化隔离法制备ZnO气敏材料
4) gas sensing materials
气敏材料
1.
Application of recent test technology in gas sensing materials;
近代测试技术在气敏材料研究中的应用
2.
Progress in semiconductor complex oxides gas sensing materials;
半导体复合氧化物气敏材料研究进展
3.
The preparation methods and influencing factors of intrinsically conducting polymers(ICPs) as gas sensing materials were reviewed.
综述了本征型导电聚合物(ICPs)基气敏材料的制备方法及影响其气敏性能的各种因素。
5) gas sensitive materials
气敏材料
1.
Preparing nanometer gas sensitive materials with microemulsion reactor is a new method for nanometer materials.
基于微乳液纳米反应器制备气敏材料是制备纳米材料的新方法。
2.
In this paper,we developed a new method to test the dynamic characteristics of gas sensitive materials, and could get unique curve for differ.
气敏材料的气敏特性来源于气体在材料表面的吸附和表面反应过程。
3.
A new novel organic gas sensitive materials,substituted rare earth double phthalocyanine,has better performance of dissolving and film forming,has been preparated in this paper.
制备了一种新型的有机气敏材料—取代双酞菁镧(Sub-Re(Pc)2),该材料具有优良的溶解性能和成膜性能,无需任何分子支撑剂即可较好地在纯水亚相上形成LB膜。
6) sensitive materials
敏感材料
1.
Study on Cr_2O_3-Al_2O_3 sensitive materials for CH_4 gas
Cr_2O_3-Al_2O_3甲烷敏感材料的研究
2.
The sensitivity and selectivity of chemical sensors are controlled by sensitive materials mainly.
化学传感器的灵敏度和选择性主要通过敏感材料的选择来确定。
3.
Research in screening of molecularly imprinted polymer sensitive materials with combinatorial chemistry is reported,from 25 candidate polymers,a novel molecularly imprinted polymer with great selectivity is screened out.
本文报道了运用组合化学进行分子印迹聚合物敏感材料筛选的研究。
补充资料：磁敏电阻材料
磁敏电阻材料
magneto sensitive resistance materials
电子迁移率分别为5.6一6.sm“/(V·s)和2.。一2.5m州(V·s)。Insb的禁带宽度小，受温度影响大。GaAs的禁带宽度大，电子迁移率也相当大助.802/(V·s)〕，受温度影响小，且灵敏度也高。镍钻合金和镍铁合金的电阻温度系数小，性能稳定，灵敏度高，且具有方向性，可制作强磁性磁阻器件，用于磁阻的检测等方面。用半导体材料制作的磁敏电阻器、无触点电位器、模拟运算器和磁传感器等应用于测量、计算机、无线电和自动控制等方面。半导体Insb一NISb磁敏电阻器用于磁场、电流、位移和功率测量及模拟运算器等方面，其阻值为10n一1 kn，相对灵敏度6一18(B一IT)，温度系数一2.9%一。.09%(1/℃)(B一IT)，极限工作频率l~10MH:。在测量小于0.olT的弱磁场时，必须附加以偏置磁场才能进行。Ni一C。薄膜磁敏电阻器主要用子探测磁场方向、磁带位置检测、测量和控制转速或速度以及无触点开关等方面。阻值有L10、250k几，相对灵敏度2%以上(3 XIO一“T下)，温度系数3DOO士500火10一“(1/’C)，感应磁场3X10一“T以上，工作温度一55一150‘C。在检测磁场反转或可逆磁场以下的磁信号时，也应采用偏置磁场。 磁敏电阻材料的发展与半导体材料的开发密切相关。发展趋势是:开发高准确度、高灵敏度、低噪声、高稳定性和可靠性以及多功能的磁敏器件与材料;研制非金属和金属化合物半导体、固溶体半导体、共晶体和共晶薄膜磁敏材料。C Im旧dlo门2日己OJ{100磁敏电阻材料(magneto Sensitiveresistaneematerials)对磁场敏感，具有磁阻效应的电阻材料。这种材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁场作用在导体上的各种物理效应(霍耳效应、磁阻效应)早在1879一1883年间在金属中就发现了，但因效应不显著，长期以来未得到广泛应用。半导体出现后，在_20世纪50年代后半期开发了高迁移率的新型化合物半导体材料，如锑化锢(Insb)等，也促进了霍耳器件和磁阻器件的研究、开发和应用。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钻合金。常用的半导体有Insb(或Insb一Nisb共晶材料)、砷化锢(InAs)和碎化稼(GaAs)等材料，一般用N型。高纯度Insb和InA。的
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参考词条