1) Lattice misfit eneray
晶格失配能
2) Lattice mismatching
晶格失配
1.
Lattice mismatching between different materials significantly forbids epitaxial growth of hetero structured films.
实验上已经得出了在MoS2 基板上外延生长C60 薄膜的结果 ,本文用分子动力学计算机模拟方法对MoS2 基板上外延生长C60 薄膜进行了研究 ,证实范德瓦尔斯外延可以克服较大的晶格失配问题。
2.
The relationship among the lattice mismatching of HgCdTe/CdZnTe,the X-ray topography and the detectivity(D*) of the IRFPA was studied.
研究了外延薄膜/衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。
3) lattice mismatch
晶格失配
1.
Molecular dynamics simulation of the influence of lattice mismatch on cross-plane superlattice thermal conductivity;
晶格失配对超晶格法向导热系数影响的分子动力学模拟
2.
The effect of lattice mismatch on the nucleation process of heteroepitaxial growth of ultrathin film;
晶格失配对异质外延超薄膜生长中成核特性的影响
3.
Based on the equilibrium of combined girders, a set of models for the strain and stress distributions in heterostructures introduced by lattice mismatch, thermal mismatch and the combination of the two factors are set up, and the analytic solutions, including lattice mismatch strain, thermal mismatch strain, bending strain and the radius of curvature of the system, are also given.
基于组合杆的平衡条件,分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变和应力分布模型,并获得了异质结构的晶格失配应变、热失配应变、弯曲应变以及曲率半径的分析解。
4) crystal lattice mismatch
界面晶格失配
6) misfit dislocation
(晶格)失配位错
补充资料：晶格能
分子式：
CAS号：
性质：亦称点阵能。是指由相互远离的气态离子或分子形成1mol化合物晶体所释放出的能量。晶格能是衡量晶体中离子间或分子间键结合能总体大小的一个量度。晶格能较难由实验直接测定，但可根据玻恩(M. Born)-哈伯(F. Haber)热化学循环，由金属元素M(气体)的电离能、非金属元素X(气体)的电子亲和能、M(晶体)的升华热和MX；(晶体)的生成热等间接推算出由气态M+与X-生成1molMX晶体的晶格能。对各类二元离子型晶体，其晶格能一般不难由理论计算导出。
CAS号：
性质：亦称点阵能。是指由相互远离的气态离子或分子形成1mol化合物晶体所释放出的能量。晶格能是衡量晶体中离子间或分子间键结合能总体大小的一个量度。晶格能较难由实验直接测定，但可根据玻恩(M. Born)-哈伯(F. Haber)热化学循环，由金属元素M(气体)的电离能、非金属元素X(气体)的电子亲和能、M(晶体)的升华热和MX；(晶体)的生成热等间接推算出由气态M+与X-生成1molMX晶体的晶格能。对各类二元离子型晶体，其晶格能一般不难由理论计算导出。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条