补充资料：迁移增强外延

迁移增强外延
migration enhaneed ePitaxy

、代产护尸沪，卜~，迁移增强外延migration enhaneed即itaxy一种改进的分子束外延技术。简称MEE。1986年由日本的科学家首次提出。 随着微电子领域研究的不断深入，用常规分子束外延(MBE)研制的器件存在两个缺点:①由于大量的原子台阶造成原子级粗糙度，使外延材料界面平整度差，易导致器件特性恶化;②MBE的衬底温度偏高(500一600℃)，使杂质原子易在体内扩散，难以实现陡峭的界面杂质分布。问题是MBE的GaAs生长是在一个稳定的As压条件下进行，迁移到生长面的Ga原子立刻与As反应形成GaAs小岛，这些小岛与As之间稳定的化学键使表面吸附原子的迁移过慢，且岛上的As要再蒸发必须提高衬底温度。 MEE新技术是在沉积Ga的过程中中断As的供给，这时在底层As的表面上不形成GaAs岛，加快了Ga原子在As表面的迁移。在元素渗流箱上各装一个快门，Ga和As原子交替输送到衬底上，Ga原子迅速迁移到无As的表面。迁移和生长由反射高能电子衍射仪(RHEED)监控。通过RHEED衍射强度振荡谱，可观察到常规MBE在20周期后振荡完全消失，而MEE则由于有良好表面原子级平整性，在经历上千周期振荡后，振荡仍可连续进行。 已使用MEE法在200℃生长含有4000个单原子层的GaAs。测定4 .ZK光致发光特性，表明晶体质量良好仁300℃时生长AIAs一GaAs量子阱，在半绝缘的GaAs衬底上先外延500 nm缓冲层后，再生长50nmAIAs隔开的含22个单层的GaAs双量子阱。测试结果表明，A卫As层具有高质量。MEE法也可应用于选择外延，为实现GaAs/Si单片集成，在具有薄5102掩膜图形的Si衬底上选择生长GaAs。虽然MEE法起步较晚，但已可预测到在微结构材料研制方面有着良好的应用前景。(莫金现)

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