补充资料：gallium indium arsenide phosphide GaInAsP

分子式：
CAS号：

性质： 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74～1.35eV范围，相应发射波长为0.92～165μm，折射率较低，易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3～1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。

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