1) LED
[英][,el i: 'di:] [美]['ɛl 'i 'di]
光发射二极管
1.
75 N layer of GaN based light emitting diode (LED) on SiC substrate was studied using deep level transient spectroscopy (DLTS).
利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 。
3) emitting diode
发射二极管[光]
4) photon emitting diode
光子发射二极管
5) surface-emitting LED
面发射发光二极管(光)
6) front-emitting LED
前发射发光二极管<光>
补充资料:光二极管阵列检
是利用光二极管阵列检测器对光子进行检测。光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层,使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区,就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭,于是电导增加,增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘,它们都联结到一个共同的n型层上。当光二极管阵列表面被电子束扫描时,每个p型柱就连接着被充电到电子束的电位,起一个充电电容器的作用。当光子打到n型表面以后形成空穴,空穴向p区移动并使沿入射辐射光路上的几个电容器放电。然后当电子束再次扫到它们时,又使这些电容器充电。这一充电电流随后被放大作为信号。光二极管阵列可以制成光学多道分析器。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条