1) MHEMT
变组分高电子迁移率晶体管
1.
m GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMT device fabricated in our laboratory is introduced.
2 5 μm的 Ga As基 In Al As/ In Ga As变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT) ,测得其跨导为 5 2 2 m S/ m m,沟道电流密度达 4 90 m A/ mm,截止频率为 75 GHz,比同样工艺条件下Ga As基 In Ga P/ In Ga As PHEMT的性能有很大的提高 。
2) Phase Transformation Structure
相变组织
3) Deformed Microstructure
形变组织
1.
Deformed Microstructure and the Eutectic Melting Activity Energy of AZ91D Magnesium Alloy by SIMA Method;
AZ91D合金SIMA形变组织与共晶熔化激活能的研究
4) Alteration association
蚀变组合
5) thixotropic microstructure
触变组织
6) Rheological Microstructure
流变组织
1.
Evolution of Rheological Microstructures in Spray Deposition;
喷射沉积过程中半固态流变组织演变
参考词条
补充资料：电子迁移率
分子式：
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
CAS号：
性质：在外电场作用下液态介质内的电子受到加速而迁移，称电子迁移。迁移率(单位场强下的电子迁移速率)是沿着外电场施加于电子上的作用力方向，通常小于无规热运动速率，其大小由介质阻碍与外场加速间达到的平衡来确定，是一个平均速率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。