超高真空化学汽相淀积,UHV/CVD,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) UHV/CVD

超高真空化学汽相淀积

Small size,large density and vertical ordering Ge quantum dots(QDs)were grown by UHV/CVD system.

在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。

2) super high

超高

Hoisting technique of steel vestibule of super high, super weight and large span;

超高、超重、大跨度钢通廊的吊装技术

In the National Conference Center Project at Beijing Olympic Park(Area B),there were super high and super heavy floor at 13 locations,with storey heights from 7.

北京奥林匹克公园(B区)国家会议中心工程超高、超重顶板共计13个部位,层高为7。

3) superelevation

超高

The study about methods of superelevation calculations on highway design;

公路设计超高计算方法的研究

A few discussions on highway superelevation design;

公路超高设计的有关问题浅析

Through the analysis about superelevation calculation in middle of S type curve,The author brings forward the improvement method of oblique ridge road arch in convolution engagement of S type curve.

根据S型曲线在超高过渡计算时遇到的具体情况进行分析,提出了对"S型曲线"在两反向回旋线衔接处进行用斜脊式路拱设计的改进方法。

4) super elevation

超高

The curve radius is one of important parameters which can ascertain line allowable speed,curve super elevation,curve versine,curve widening,curved building clearance widening and length of transition curve.

曲线半径是确定线路容许速度、曲线超高、曲线正矢、曲线加宽、曲线建筑限界加宽、缓和曲线长度等要素的重要参数。

5) super-elevation

超高

Research on super-elevation about six-or-more-lane freeway;

六车道以上高速公路超高设计方法的研究

It provided theory evidence for the calculation of highway super-elevation.

研究了高速公路缓和曲线长度的确定方法,通过高速公路断面迭加图和超高过渡轨迹图,并研究了超高过渡段内不同的旋转阶段、不同硬路肩宽度和坡度情况下超高值的计算公式,为高速公路超高计算提供了理论依据。

The old design methods have not been fit for the new situation,especially,in super-elevation computing methods,but there is not a new suitable calculating method.

新的《公路工程技术标准》、《公路路线设计规范》、《公路勘测规范》已全部颁布实施,新的《标准》、《规范》在设计理念和技术手段上都与旧的《标准》和《规范》有较大不同,原有的设计计算方法与新《规范》、《标准》不相符,尤其是超高计算部分,有很多新规定,可公开的、可供参考的计算公式很少。

6) super high density

超高密度

Considering the complicated situations such as uncertainly in strata pressure, high abnormal pressure coefficient, strata being easy to collapse, co-existence of well blowout and lost circulation etc, the article analyzes technical difficulties of drilling fluid with super high density, decides prescription of drilling fluid with density of over 2.

针对赤水官渡地区的地层压力规律性差,异常压力系数高,地层易垮塌、喷漏并存等复杂情况,分析了超高密度钻井液技术难点,在优选处理剂和控制合适的膨润土用量的基础上,确定了密度为2。

参考词条

超高温奶超高扬程超高碱度超高静压超高厚度超高速完备概率测度空间比较哲学

补充资料：化学汽相淀积工艺

　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。
　　
　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：
　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂
　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂
　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O
　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂
　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂
　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→
　　
　　
　　
　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O
　　
　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。
　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl
　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO
　　
　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。
　　
　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。
　　
　　
　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。
　　
　　
　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。
　　
　　
　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。
　　
　　

参考书目
　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引超高强超高韧超高强度超高压超高碳钢超高温

1) UHV/CVD 超高真空化学汽相淀积 1. Small size,large density and vertical ordering Ge quantum dots(QDs)were grown by UHV/CVD system. 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。 2) super high 超高 1. Hoisting technique of steel vestibule of super high, super weight and large span; 超高、超重、大跨度钢通廊的吊装技术 2. In the National Conference Center Project at Beijing Olympic Park(Area B),there were super high and super heavy floor at 13 locations,with storey heights from 7. 北京奥林匹克公园(B区)国家会议中心工程超高、超重顶板共计13个部位,层高为7。 3) superelevation 超高 1. The study about methods of superelevation calculations on highway design; 公路设计超高计算方法的研究 2. A few discussions on highway superelevation design; 公路超高设计的有关问题浅析 3. Through the analysis about superelevation calculation in middle of S type curve,The author brings forward the improvement method of oblique ridge road arch in convolution engagement of S type curve. 根据S型曲线在超高过渡计算时遇到的具体情况进行分析,提出了对"S型曲线"在两反向回旋线衔接处进行用斜脊式路拱设计的改进方法。 4) super elevation 超高 1. The curve radius is one of important parameters which can ascertain line allowable speed,curve super elevation,curve versine,curve widening,curved building clearance widening and length of transition curve. 曲线半径是确定线路容许速度、曲线超高、曲线正矢、曲线加宽、曲线建筑限界加宽、缓和曲线长度等要素的重要参数。 5) super-elevation 超高 1. Research on super-elevation about six-or-more-lane freeway; 六车道以上高速公路超高设计方法的研究 2. It provided theory evidence for the calculation of highway super-elevation. 研究了高速公路缓和曲线长度的确定方法,通过高速公路断面迭加图和超高过渡轨迹图,并研究了超高过渡段内不同的旋转阶段、不同硬路肩宽度和坡度情况下超高值的计算公式,为高速公路超高计算提供了理论依据。 3. The old design methods have not been fit for the new situation,especially,in super-elevation computing methods,but there is not a new suitable calculating method. 新的《公路工程技术标准》、《公路路线设计规范》、《公路勘测规范》已全部颁布实施,新的《标准》、《规范》在设计理念和技术手段上都与旧的《标准》和《规范》有较大不同,原有的设计计算方法与新《规范》、《标准》不相符,尤其是超高计算部分,有很多新规定,可公开的、可供参考的计算公式很少。 6) super high density 超高密度 1. Considering the complicated situations such as uncertainly in strata pressure, high abnormal pressure coefficient, strata being easy to collapse, co-existence of well blowout and lost circulation etc, the article analyzes technical difficulties of drilling fluid with super high density, decides prescription of drilling fluid with density of over 2. 针对赤水官渡地区的地层压力规律性差,异常压力系数高,地层易垮塌、喷漏并存等复杂情况,分析了超高密度钻井液技术难点,在优选处理剂和控制合适的膨润土用量的基础上,确定了密度为2。参考词条超高温奶超高扬程超高碱度超高静压超高厚度超高速完备概率测度空间比较哲学补充资料：化学汽相淀积工艺　　用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。　　　　化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：　　SiH₄─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H₂ 　　SiH₄+4N₂O─→SiO₂+2H₂O+4N₂ 　　SiH₄+2O₂─→SiO₂+2H₂O 　　3SiH₄+4NH₃─→Si₃N₄+12H₂ 　　3SiH₂Cl₂+10NH₃─→Si₃N₄+6NH₄Cl+6H₂ 　　SiH₄+2xPH₃+2(2x+1)O₂─→ 　　　　　　　　 SiO₂·xP₂O₅(磷硅玻璃)+(3x+2)H₂O 　　　　化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb₃Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO₂·xGeO₂)，以及装饰性薄膜氮化钛等。　　3NbCl₄+GeCl₄+8H₂─→Nb₃Ge+16HCl 　　4Fe(CO)₅+3O₂─→2Fe₂O₃+20CO 　　　　与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。　　　　常压化学汽相淀积　图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。　　　　　　低压化学汽相淀积　图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。　　　　　　等离子化学汽相淀积　利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。　　　　　　金属有机化学汽相淀积　以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。　　　　参考书目　　　Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981. 　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com