1) leakage-current-mismatch
泄漏电流失配
1.
Based on the theory of DC transportation characteristic of intrinsic CMOS inverter and approximation of low junction by ion implantation, the influences of leakage-current-mismatch on DC transportation characteristic of CMOS inverter on epitaxial silicon N+ substrate at high temperature are investigated.
在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其高温直流传输特性的影响,提出采用双阱或N阱工艺使PMOSFET的衬底浓度高于NMOSFET的衬底浓度,并适当减小PMOSFET漏区宽度的方法,可以减弱源-漏结泄漏电流失配的影响。
2) Leakage Current
泄漏电流
1.
A simple method of detecting leakage current to ground;
一种简易的对地泄漏电流的检测方法
2.
Technological analysis of measuring leakage current under condition of exerting DC voltage on winding ends for 200MW generator stator windings;
200MW发电机定子绕组端部施加直流电压下泄漏电流测量的技术分析
3) leak current
泄漏电流
1.
Design of on-line monitoring for leak current of insulating casing;
绝缘套管泄漏电流在线检测单元设计
2.
The average leak current is less than 0.
5V(DC)条件下测得的泄漏电流平均值不大于0。
4) leakage current
漏泄电流
1.
Adding a appropriate amount of SiO2 to ZnO ceramics leads to incrcase a value and voltage gradient of the varistor, to decrease leakage current and to raise withstanding surge current, that results in making ZnO varistors with excellent performance.
实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。
5) current leakage
电流泄漏
1.
By using DC test,we found that V-I and IdV/dI-I are indicators of current leakage.
DC检测发现,V-I和IdV/dI-I可以对LD的电流泄漏作出判断。
2.
Theoretical and experimental results indicate that the BV peak is an indicator of nonlinearity of laser diodes,and it is correlated with the parallel linear current leakage in laser diodes,and the current leakage can result in the right-shifted BV peak.
理论分析还表明,BV峰右侧的1/f噪声源于有源区,BV峰左侧的1/f噪声源于有源区周边的线性并联结构,该研究为电流泄漏的噪声诊断提供了理论依据。
6) leakage of current
电流漏泄
补充资料：电价配位键
分子式：
CAS号：
性质：中心原子(或离子)和配体形成配位键时，中心原子的d电子结构不受配体影响，使电子排布服从洪特规则，以自旋最大为最稳定。这种保持自由离子的价原子结构的配位键称为电价配位键。凡中心原子(或离子)与配位原子的电负性相差较大时，倾向于形成电价配位键。如Fe3+与C2O42-形成[Fe(C2O4)3]3-时，Fe3+3d电子服从洪特规则，配体提供的电子对占据最外层的4s，4p，4d轨道。
CAS号：
性质：中心原子(或离子)和配体形成配位键时，中心原子的d电子结构不受配体影响，使电子排布服从洪特规则，以自旋最大为最稳定。这种保持自由离子的价原子结构的配位键称为电价配位键。凡中心原子(或离子)与配位原子的电负性相差较大时，倾向于形成电价配位键。如Fe3+与C2O42-形成[Fe(C2O4)3]3-时，Fe3+3d电子服从洪特规则，配体提供的电子对占据最外层的4s，4p，4d轨道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条