2) CMOS sine-wave oscillator
CMOS正弦波振荡器
1.
Design of CMOS sine-wave oscillator with low output harmonic distortion;
低谐波失真的CMOS正弦波振荡器设计
3) Light-control CMOS oscillating pixels
光控CMOS振荡像元
4) oscillators
振荡器
1.
Oscillators’phase noise research based on stochastic differential equation
基于随机微分方程的振荡器相位噪声研究
2.
The paper introduces the train of thoughts of the low noise and wide cover voitage controlled oscillators.
介绍了低噪声宽复盖压控振荡器 VCO的设计思路 ,给出了设计中参数的合理取值范围 ,对 VCO的设计方法进行了阐述 ,并对其相位噪声进行了分析 ,同时结合实际 ,设计了实用的VCO,并给出了 VCO的特性曲线图。
3.
Four models of time with timer of human beings time action:scalar time model,counting model,oscillators predictions model,and VET model,were reviewed and discussed.
介绍了探讨人类时间行为内部机制的4个理论模型:等级时间模型、计数模型、振荡器预测模型、和记忆的VET模型,对各种模型进行了讨论,提出从多学科、多因素的角度来研究人类时间行为的计时机
5) oscillator
[英]['ɔsɪleɪtə(r)] [美]['ɑsə'letɚ]
振荡器
1.
Modified Leeson formula and low phase noise oscillator design;
改进的相位噪声公式与低相位噪声振荡器设计
2.
The analysis of noise voltages influence on the amplitude stability of LC oscillator;
噪声对 LC 振荡器振幅稳定性的影响分析
6) FET oscillator
FET振荡器
补充资料：LC 振荡器
由LC谐振回路作反馈电路的反馈型正弦波振荡器。其放大电路主要由晶体管或电子管构成，自振频率基本上决定于谐振回路的电感L和电容C，振荡幅度主要受制于有源电子器件的非线性和电源电压的幅度。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
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参考词条