1) OPC
光学邻近效应校正
1.
Summarizing advances in light source,optics,illumination technology,mask design,Optical Proximity Correction(OPC)and stage during photolithography pushing forward to nano-fabrication,and describing photolithography advantages in mass production applications,introducing requirements for Next Generation Lithography(NGL),to predict prospects of photolithography.
概述了光学光刻技术向纳米制造挺进过程中光源、光学系统、照明技术、掩模设计、抗蚀剂、光学邻近效应校正、工作台等方面的进展以及光学光刻技术在大批量生产应用中的优势,并介绍了国外开发极紫外光刻技术的技术指标,预测了光学光刻技术的前景。
2.
It is an effective method to use coding gray tone mask for OPC in submicron photolithography.
利用灰阶编码掩模实现光学邻近效应精细校正是改善光刻图形质量的有效方法 ,设计并利用电子束直写系统加工了用于实现邻近效应校正的灰阶编码掩模 ,首次在投影光刻系统上用这一方法实现了光学邻近效应校正 ,获得了满意的实验结果 ,在可加工 0 7微米的I线曝光装置上获得了经邻近效应校正的 0 5微米光刻线条。
2) proximity effect correction
邻近效应校正
1.
So the proximity effect correction can be realized rapidly and accurately in the horizontal direction.
针对三维曝光图形的结构特点,结合重复增量扫描方式,分别从水平和深度两个方向进行邻近效应校正。
2.
The internal proximity effect correction in the electron beam lithography based on the variation of the pattern shape was studied.
研究了基于图形几何尺寸修正的电子束光刻的内部邻近效应校正技术,利用累积分布函数预先进行内部最大矩形和顶点矩形的快速计算,并把它们存储在矩阵中。
3) optical proximity correction(OPC)
光学邻近校正
1.
By analyzing decomposition problems and optical proximity correction(OPC) reuse scheme based on segments,a relationship was set up between changed layout from re-split and previous OPC data,namely fragmentation and offset informati.
通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。
4) optical proximity correction
光学邻近校正
1.
The production mechanism of proximity effect in laser direct writing is analyzed, its differences with projection optical lithography and electron beam lithography pointed out, and a convenient and effective optical proximity correction (OPC) method presented.
实验表明，通过光学邻近校正（ＯＰＣ），利用微米级激光直写系统，制作出了０。
5) OPC
光学邻近校正
1.
optical proximity correction (OPC) is a key step in nanometer scale lithography technology.
光学邻近校正(OPC)技术已经成为纳米级半导体工艺技术中的一个关键。
6) optical proximity effect
光学邻近效应
1.
A parasitic parameter extraction method for on-chip interconnects including the optical proximity effect;
一类考虑光学邻近效应的片内互连寄生电容提取方法
补充资料：邻近效应（proximityeffects）
邻近效应（proximityeffects）
将正常金属（N）蒸镀到超导样品（S）上，由于库珀电子对为相干长度ξ范围，在S表面的电子对渗透到N中厚度为N中相干长度ξN范围，使该范围也呈现超导电性，称邻近效应。此效应影响界面附近的能隙和临界温度均有所下降。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条