1) 2D threshold voltage model
二维阈值电压模型
1.
The 2D threshold voltage model of DMOS devices is proposed.
提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 。
2) threshold voltage shift model
阈值电压漂移模型
3) analytical threshold model
解析阈值电压模型
4) bivariate exceedance model
二元超阈值模型
1.
Moreover,in order to describe the extreme dependent structure about these two relief factors comprehensively,we build a bivariate exceedance model,give the tail distribution and the parameter estimation methods.
进一步,为了更全面阐述这两个变量的极值相关结构,建立了一个二元超阈值模型,给出分布的尾部估计和参数估计结果,最后对所得研究结果进行了实证分析,具体给出泥石流地貌要素的相关性分析。
5) two-dimensional thresholding
二维阈值
1.
Based on two-dimensional thresholding segmentation algorithm for IR image,the method of 2D maximum classes square error is taken as an example to analyse the shortcoming of the method,then a novel genetic algorithm is presented by combining simple genetic algorithm(GA) and dissipative system theory for segmentation problem.
在二维阈值化分割算法的基础上,提出了一种新的改进分割算法运算效率的遗传算法,在对耗散系统理论研究的基础上,将简单遗传法与耗散结构相结合,构成一种新的算法,并对该算法求解红外图像二维阈值问题进行了仿真研究。
6) threshold voltage
阈值电压
1.
Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET;
应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究
2.
Analytical threshold voltage model for fully depleted SOI MOSFETs;
全耗尽SOIMOSFET阈值电压解析模型
3.
2-D threshold voltage model for short-channel MOSFET with quantum-mechanical effects;
考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条