1) High-Power Jamming Enginery
大功率干扰机
1.
The Jamming Effectiveness Evaluation of the High-Power Jamming Enginery to Short-Wave Communication;
大功率干扰机对短波通信的干扰效能评估
2) jamming power
干扰功率
1.
The calculation of radar cross-section and jamming power on chaff cloud is deduced based on the analysis of the chaff s material and the jamming theory and technique.
通过对箔条的材质和干扰原理及技术的分析,获得箔条云的雷达截面积数学模型和其干扰功率的数学模型,在不改变有源和无源干扰投放设备、不增加投放箔条数量的前提下,利用有源干扰设备提高了箔条质心干扰的有效反射面积。
2.
This paper gives a model of airborne SAR jamming power based on mathematical model,digital signal processing theory and matlab software platform to improve efficiency of designing airborne SAR jamming power system.
为提高设计机载SAR(合成孔径雷达)干扰功率计算的效率,在matlab(MATrix LABoratory)软件平台上结合数学模型和数字信号处理理论建立了机载SAR干扰功率计算模型,并在此基础上进行了仿真。
3.
The calculation of the real time range,jamming power and sensitivity is deduced,based on the analysis of the weapon system s performance.
通过对雷达制导武器系统作战性能的分析,给出了机载自卫有源压制干扰的最大和最小干扰距离方程,并根据此方程获得战场想定下的实时干扰功率和接收机灵敏度的数学模型,对机载自卫有源压制干扰时机进行了分析。
3) interference power
干扰功率
1.
This text emphasizes interference probability and signal intensity, repeated frequency and interference power that decide dinterference effect was discussed, and their quantitative range by calculation was gained.
以干扰概率和信号强度作为研究的重点,讨论了决定干扰效果的关键参数——重复频率和干扰功率, 并通过计算得到它们的数量级范围。
2.
The improved algorithm makes use of the results from channel estimation to calculate the interference power of ISI (Inter Symbol Interference) and MUI (Multiple User Interference),and subtracts the interference power from the total noise power in the receiver,thus a proper noise power of AWGN is obtained.
提出了一种改进的AWGN噪声功率估计方法,该算法利用信道估计模块得到的信道响应信息,从接收的总噪声中减去符号间干扰功率和多用户之间的信号干扰功率,从而准确估计AWGN信道的噪声功率。
4) frequency interference function
频率干扰功能
5) the ratio of jamming to signal power
干扰-信号功率比
6) output power of jamming
干扰输出功率
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条