1) strain energy band engineering
应变能带工程
1.
The new trends in developing high power high frequency HFETs and device commercializing are emphasized,sum and up some problems in performance optimization and commercialization of GaN HFET such as two dimensional electric field and electron states,nanometer metal and dielectric layers,strain energy band engineering,and dielectric potential .
综述了GaNHFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题。
3) energy-band engineering
能带工程
1.
Semiconductor quantum dots formed by energy-band engineering have potential applications in the novel optoelectronic devices as an active region materials because of their unique optoelectronic properties.
作为未来新型光电子器件的有源区材料,采用能带工程形成的各种半导体量子点,以其所具有的许多独特光电特性而日益显示出潜在的重要应用。
2.
Applications of semiconductor energy-band engineering into the mid-infrared quantum-cascade lasers with different active region structures such as three wells vertical transition active region,superlattice active region,strain-compensated quantum well active region,bound-to-conti-nuum transition active region and four wells double-phonon resonance active region were introduced.
以不同结构类型的有源区为主线,如三阱垂直跃迁有源区、超晶格有源区、应变补偿量子阱有源区、束缚-连续跃迁有源区和四阱双声子共振有源区等,介绍了半导体能带工程在量子级联激光器中的应用。
4) Bandgap engineering
能带工程
1.
The characteristics of a heterojunction bipolar transistor (HBT) depends closely on the properties of the material system and can be improved greatly by bandgap engineering.
异质结晶体三极管 (HBT)的性能与其材料体系密不可分 ,利用能带工程可以大大优化器件的结构 ,提高器件性能 。
5) Strain engineering
应变工程
1.
We conclude that,during the capping stage of the quantum dot,the strain is very critical for both the shape of the quantum dot and the optical characteristics;extension of the emission wavelength via quantum dot strain engineering is an effective means.
结果表明,在量子点加盖过程中,应变因素对其形貌和发光特性具有重要作用,以应变工程为基础的发射波长调控是拓展量子点波长发射范围的有效途径。
补充资料：材料的能带工程
材料的能带工程
energy-band engineering for materials
材料的能带工程ener舒一band engineeri飞formaterials通过“剪裁”材料中的原子组合，使材料具有特殊的能带结构，从而赋予材料新的性能。20世纪30年代形成的量子理论，很快被用来处理固体问题，发展了固体能带理论。特别是人们认识并利用了半导体的能带结构，制造出各种各样的电子材料和器件，导致电子和信息技术的迅速发展。1969年，江崎玲放奈(LEsaki)和朱兆样在固体能带理论基础上，设想将两种不同组分或不同掺杂的半导体超薄层(每层厚等于或小于10nln)交替叠合生长在衬底上，使沿生长方向形成附加的人造晶格周期性，故名超晶格。他们当时预见到分子束外延等技术的进展，将足以制备出这种材料。后来的事实证明，这种设计是很有生命力的，为材料的能带工程奠定了基础。 材料的能带结构每种半导体材料都有自己的能带结构。价带顶部、导带底部以及它们之间的带隙，对材料性能有直接影响。例如，以掺杂或光、电等手段产生的电子，一般处在导带底，而空穴则处在价带顶。能量处于带隙范围内的电子和空穴进入材料后由于受到很强的反射而不能深入。以GaAs和GaAIAs组成的超晶格材料为例，由于GaAs的带隙窄，而GaAIAs的带隙宽，由它们组成超晶格材料具有重要的特点。能带在两种材料交界面(称为异质结构界面)处发生突变，并使得GaAs层中的电子和空穴的能量，正好处在两侧GaAIAs材料的带隙范围内，这样，只要两侧的GaAIAs层不是十分薄，电子和空穴将被限制在GaAs层中，好比落入陷阱，这种特殊的能带结构，被形象地称为量子阱。基于能带在异质结构界面的不连续性，已发现除GaAs/GaAIAs外，还存在多种不同类型的超晶格材料，已用于制备出不同光学和电学特性的光电子器件。当前正在迅速发展的大功率半导体激光器，就是利用超晶格量子阱材料制造的。 进展材料的能带工程设计，近年不断有新的发展。如发展了应变层超晶格材料。在这种材料中异质结构界面两边的材料，不要求它们的晶格常数非常接近，并且可以允许相差较大。只要每层材料足够薄，可依靠弹性形变来补偿晶格差别带来的影响。应变层超晶格材料的出现，不仅扩大了构成超晶格材料的体系，而且它们本身还具有其特性，导致新的应用。 在超晶格、量子阱材料中，电子的自由运动基本上被限制在生长层的二维平面内，形成所谓二维电子系统。
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参考词条