2) Schottky contact
肖特基接触
1.
The temperature characteristics of AlGaN/GaN heterosturture s Schottky contact is described by I-V measurement.
通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系。
2.
The latest progress in fabrication technologies of Schottky contacts on n-type ZnO substrates,with high density of intrinsic donor defects,including oxygen vacancies,zinc interstitials,and residual hydrogen,was tentatively analyzed and reviewed.
由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。
3.
Interface of Schottky contacts is studied by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) before and after high temperature anneal.
利用电镜扫描(SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对高温退火前、后的肖特基接触界面进行深入分析,发现器件经过高温退火后,Ni和AlGaN层之间介质的去除,并且AlGaN材料表面附近的陷阱减少,使得肖特基有效势垒提高,从而提高器件的电学特性。
3) Schottky contacts
肖特基接触
1.
Effect of oxygen plasma treatment on AlGaN Schottky contacts;
氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响
2.
A new method for the measurement of GaN thin film and its Schottky contacts is reported.
该方法基于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 。
4) Schottky barrier contact
肖特基势垒接触
5) Semitransparent Schottky contact
半透明肖特基接触
6) Schottky characteristic
肖特基特性
1.
Effects of different surface treatment methods and ion implantation on Schottky characteristics of AlGaN/GaN HEMT were studied.
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN/GaN HEMT肖特基特性的影响。
补充资料：莫特-肖特基方程
分子式：
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
CAS号：
性质：该方程描述半导体的空间电荷层微分电容Csc与半导体表面对于本体的电势△φ的关系：式中ε为相对介电常数，εn为真空介电常数，N是施主（对n型半导体）或受主（对p型半导体）密度；E及Efb分别为电极电势及平带电势，均相对于特定的参比电极。此式在时成立。根据上述方程，对E作图应为一直线，即莫特-肖特基图。直线的延长线在纵轴上的截距可以给出Efb；从直线的斜率可求得N。但表面态的干扰会造成偏离莫特-肖特基理论关系式。所以应核实由此图得到的“Efb”与电容测量中所用的频率无关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条